一种调控球墨铸铁铁素体晶粒尺寸的方法

    公开(公告)号:CN114561507B

    公开(公告)日:2023-11-17

    申请号:CN202210179081.0

    申请日:2022-02-25

    IPC分类号: C21C1/10

    摘要: 本发明公开了一种调控球墨铸铁铁素体晶粒尺寸的方法,基于球墨铸铁铁素体晶粒越粗大,低温冲击功越高的机理,提出一种新型热处理调控球墨铸铁铁素体晶粒尺寸的方法。本发明在于将铸态球墨铸铁加热至二次石墨化温度范围,在保温过程中基体铁素体化的同时促使铁素体晶粒长大。保温过程中,采用脉冲式控温方式,使最高温度少量、短时间超过铁素体向奥氏体转变温度,而后再降回到二次石墨化温度范围,以此来激发铁素体晶粒的快速长大。本发明解决了在常规二次石墨化退火时即使长时间保温铁素体晶粒也很难长大的问题,本发明的方法工艺简单,操作方便,容易实现,可使球墨铸铁铁素体晶粒尺寸稳定在50μm以上。

    一种调控球墨铸铁铁素体晶粒尺寸的方法

    公开(公告)号:CN114561507A

    公开(公告)日:2022-05-31

    申请号:CN202210179081.0

    申请日:2022-02-25

    IPC分类号: C21C1/10

    摘要: 本发明公开了一种调控球墨铸铁铁素体晶粒尺寸的方法,基于球墨铸铁铁素体晶粒越粗大,低温冲击功越高的机理,提出一种新型热处理调控球墨铸铁铁素体晶粒尺寸的方法。本发明在于将铸态球墨铸铁加热至二次石墨化温度范围,在保温过程中基体铁素体化的同时促使铁素体晶粒长大。保温过程中,采用脉冲式控温方式,使最高温度少量、短时间超过铁素体向奥氏体转变温度,而后再降回到二次石墨化温度范围,以此来激发铁素体晶粒的快速长大。本发明解决了在常规二次石墨化退火时即使长时间保温铁素体晶粒也很难长大的问题,本发明的方法工艺简单,操作方便,容易实现,可使球墨铸铁铁素体晶粒尺寸稳定在50μm以上。