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发明公开
一种Cr3+掺杂镓锗酸盐宽带近红外发光材料及其制备方法和应用审中-实审

公开(公告)号：CN119391421A

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202411488234.5

申请日：2024-10-24

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 张丹 , 李云龙 , 龚文超 , 马崇庚 , 高泽宇

IPC: C09K11/80 , H10H20/851

Abstract: 本发明公开了一种Cr3+掺杂镓锗酸盐宽带近红外发光材料及其制备方法和应用。本发明发光材料的化学通式为Y3ZnGa3‑3xCr3xGeO12(其中，0 95％)和优异热稳定性(>68％@150℃)。本发明发光材料的制备工艺简单、环境友好，所得产物物化性质稳定、物相纯净。此外，通过助溶剂掺杂以及Cr3+离子掺杂浓度调控等方式能实现本发明发光材料的发光强度及发射峰位(770nm‑830nm)等发光性能的有效调控。本发明发光材料与商用LED芯片进行组合制成的近红外LED发光装置的近红外光输出功率和光电转换效率都较为优异，表明其在夜视成像、生物医疗、信息防伪等领域有着广泛的应用潜力。

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