公开(公告)号：CN101608162A

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN200910104359.2

申请日：2009-07-16

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 赵志强 ,  张汇泉 ,  赵德春 ,  李章勇 ,  金渝 ,  陈丹丹

IPC: C12M1/42 ,  C12N15/64

CPC classification number: C12M35/02

Abstract: 本发明公开了一种实现DNA转染的双柱错容式电极芯片。该芯片包括从上到下重叠在一起的电极施用层和绝缘底层，其中电极施用层有单个或多个错容电极组、与该错容电极组连接的导引导线以及位于该错容电极组之间及其四周的流经通道；其中的错容电极组由两个互不接触的其电极条相互交错插入的电极片构成，均为相互交错插入的电极条之间和电极条与电极组边缘之间是该错容电极组与所述流经通道相通的工作区通道；在围出工作区通道的电极条上排列有柱状的电极阵列。本发明不会对细胞产生高水平毒性；能降低细胞致死率；能减少DNA和细胞的使用量；能适应于大部分DNA转染；能极大地提高DNA的转染率。