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公开(公告)号：CN117810192A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202410020419.7
申请日：2024-01-05
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L23/492 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/40
Abstract: 本发明属于半导体工艺领域，具体涉及一种硅基微孔金刚石衬底氮化镓晶圆及键合方法，包括由下至上依次层叠设置的金刚石薄膜层、中间键合硅层和氮化镓有源层，所述中间键合硅层具有通孔的中间键合介质层，所述金刚石薄膜层为晶圆散热层，所述氮化镓有源层为晶圆有源层，本申请用于提高金刚石与氮化镓晶圆的键合强度，增大氮化镓器件沟道中热量传导于金刚石衬底上，通过提高晶圆尺寸减小键合成本，键合金刚石与氮化镓晶圆成品率可得到有效提高。
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