公开(公告)号：CN112928997A

公开(公告)日：2021-06-08

申请号：CN202110134951.8

申请日：2021-01-29

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 赵世巍 ,  管俊 ,  张野 ,  刘挺

IPC: H03F1/32

Abstract: 本发明涉及一种基于可调有源带通滤波器的GaN后失真高线性度功率放大器，属于电子器件领域。GaN作为第三代半导体材料能有效提升功放的效率，输出电路由二次谐波控制网络、带有变容二极管的可调有源带通滤波器和基波匹配电路共同组成，二次谐波控制网络使二次谐波阻抗位于史密斯圆图的短路点实现对谐波的控制从而提高功放的整体效率，通过改变有源带通滤波器变容二极管上的反向偏压使功率放大器在高频段实现增益扩张，这样就改善了功放整体的失真，在保证功放具有高效率的前提下提高了功放的线性度。

公开(公告)号：CN112953402A

公开(公告)日：2021-06-11

申请号：CN202110304219.0

申请日：2021-03-22

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 赵世巍 ,  张野 ,  姜小明

IPC: H03F1/07

Abstract: 本发明涉及一种基于超表面的5G毫米波多尔蒂功率放大器，属于微波电路设计领域。该功率放大器包括功率分配器、主功放模块、辅功放模块、90度相移线和相移模块；其中，相移模块由馈源天线和超表面电磁聚焦透镜阵列构成；主功放模块与辅功放模块的输入端通过功率分配器与功率放大器的总输入端连接；主功放模块输出端通过相移模块补偿后与辅助功放模块输出端合成后成为总输出。本发明利用调整超表面电磁聚焦透镜的单元结构在较宽频带内实现90度相移，实现负载阻抗调制，该发明加工简单，结构紧凑，易于加工集成。