公开(公告)号：CN117305642A

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202311286598.0

申请日：2023-10-07

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 闫艳慈 ,  吴宏 ,  李登峰 ,  刘俊 ,  陈鹏

IPC: C22C1/051 ,  C22C29/00 ,  B22F3/105 ,  B22F3/00

Abstract: 本发明涉及一种具有高热电性能黄铜矿的制备方法，属于热电材料的制备技术领域。本发明主要是将铜(Cu)丝、铟(In)丝和碲(Te)块直接进行熔体旋甩，然后在石墨磨具中进行放电等离子烧结。本发明的制备方法周期短、能耗低，在制备过程中将熔体旋甩过程结合了放电等离子烧结方法，且制备得到的黄铜矿材料(CuInTe2)具有结晶性好、晶粒尺寸小、晶格热导率低等优点，具有良好的应用潜力。

公开(公告)号：CN118996632B

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN202411115126.3

申请日：2024-08-14

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 陈鹏 ,  吴宏 ,  闫艳慈 ,  李登峰 ,  刘俊 ,  丁光前

IPC: C30B29/52 ,  C30B1/06 ,  C30B33/02

Abstract: 本发明属于材料制备技术领域，具体涉及一种大尺寸层状GeSb4Te7单晶及其制备方法。本发明方法包括(1)称量原料Ge颗粒、Sb颗粒和Te颗粒；(2)将原料颗粒置于石英坩埚并抽真空；(3)将石英坩埚固定于立式炉的炉膛的温度梯度区，进行程序控温，获得单晶锭体；(4)将装单晶锭体的石英坩埚的位置调节到所述立式炉热电偶位置的上下各3cm区域范围内退火处理，随后得到所述大尺寸层状GeSb4Te7单晶。

公开(公告)号：CN118996632A

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202411115126.3

申请日：2024-08-14

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 陈鹏 ,  吴宏 ,  闫艳慈 ,  李登峰 ,  刘俊 ,  丁光前

IPC: C30B29/52 ,  C30B1/06 ,  C30B33/02

Abstract: 本发明属于材料制备技术领域，具体涉及一种大尺寸层状GeSb4Te7单晶及其制备方法。本发明方法包括(1)称量原料Ge颗粒、Sb颗粒和Te颗粒；(2)将原料颗粒置于石英坩埚并抽真空；(3)将石英坩埚固定于立式炉的炉膛的温度梯度区，进行程序控温，获得单晶锭体；(4)将装单晶锭体的石英坩埚的位置调节到所述立式炉热电偶位置的上下各3cm区域范围内退火处理，随后得到所述大尺寸层状GeSb4Te7单晶。

公开(公告)号：CN119800514A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202510073914.9

申请日：2025-01-16

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 陈鹏 ,  吴宏 ,  闫艳慈 ,  李登峰 ,  丁光前 ,  刘俊 ,  胡锡奎

IPC: C30B29/52 ,  C30B11/00

Abstract: 本发明属于材料制备技术领域，具体涉及一种大尺寸SnSb2Te4单晶及其生长方法。本发明提供了一种改进的布里奇曼法，该方法首先在惰性气体环境中称量合适的Sn颗粒、Sb颗粒和Te颗粒，然后设置升温程序，具体的，在室温下以第1速率缓慢升至第1温度，在此温度下保温150~200min；随后，以第2速率缓慢升至第2温度；随后，以第3速率降温至第3温度，在此温度下保温60~180min；随后再将装载材料的坩埚进行步进式下降。本发明方法能够制备得到高品质、大尺寸的SnSb2Te4单晶。