公开(公告)号：CN106299016B

公开(公告)日：2018-01-12

申请号：CN201610976991.6

申请日：2016-11-07

Applicant: 重庆文理学院

Inventor： 刘炜 ,  石东平 ,  杨守良 ,  夏继宏 ,  梁康有

IPC: H01L31/107 ,  H01L31/18

Abstract: 公开了一种雪崩光电二极管及其制备方法，雪崩光电二极管包括覆盖层(26)，所述的覆盖层(26)包括P型中心有源区(27)和补偿掺杂区(28)，所述的P型中心有源区(27)是向所述的覆盖层(26)中心区域掺入P型杂质而形成；所述的补偿掺杂区(28)是向所述的P型中心有源区(27)的外围环形区域内掺入N型杂质而形成，所述的补偿掺杂区(28)为掺入一定量的N型杂质的P型材料。

公开(公告)号：CN106299016A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201610976991.6

申请日：2016-11-07

Applicant: 重庆文理学院

Inventor： 刘炜 ,  石东平 ,  杨守良 ,  夏继宏 ,  梁康有

IPC: H01L31/107 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/1075 ,  H01L31/1844

Abstract: 公开了一种雪崩光电二极管及其制备方法，雪崩光电二极管包括覆盖层(26)，所述的覆盖层(28)，所述的P型中心有源区(27)是向所述的覆盖层(26)中心区域掺入P型杂质而形成；所述的补偿掺杂区(28)是向所述的P型中心有源区(27)的外围环形区域内掺入N型杂质而形成，所述的补偿掺杂区(28)为掺入一定量的N型杂质的P型材料。(26)包括P型中心有源区(27)和补偿掺杂区