一种提升中子探测效率的转换层

    公开(公告)号:CN113433583B

    公开(公告)日:2023-04-07

    申请号:CN202110697767.4

    申请日:2021-06-23

    Abstract: 本发明公开了一种提升中子探测效率的转换层,包括入射层和出射层,所述入射层为平面结构,所述出射层为均匀分布在入射层背离入射面的一侧面上的若干圆锥形凸台;所述凸台的中心线垂直于入射层所在平面;所述转换层采用含有氢元素的聚合物材料制成。本发明将转换层的出射层表面设置成均匀分布的若干圆锥形凸台,通过圆锥形凸台来提高转换层上供反冲质子出射的有效面积,原本部分无法穿出的质子现在可以穿过转换层飞出,大大提升了探测器对中子的探测效率,并且,不会降低中子位置灵敏探测器对中子位置的分辨能力。

    一种提升中子探测效率的转换层

    公开(公告)号:CN113433583A

    公开(公告)日:2021-09-24

    申请号:CN202110697767.4

    申请日:2021-06-23

    Abstract: 本发明公开了一种提升中子探测效率的转换层,包括入射层和出射层,所述入射层为平面结构,所述出射层为均匀分布在入射层背离入射面的一侧面上的若干圆锥形凸台;所述凸台的中心线垂直于入射层所在平面;所述转换层采用含有氢元素的聚合物材料制成。本发明将转换层的出射层表面设置成均匀分布的若干圆锥形凸台,通过圆锥形凸台来提高转换层上供反冲质子出射的有效面积,原本部分无法穿出的质子现在可以穿过转换层飞出,大大提升了探测器对中子的探测效率,并且,不会降低中子位置灵敏探测器对中子位置的分辨能力。

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