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公开(公告)号:CN113380939A
公开(公告)日:2021-09-10
申请号:CN202110642004.X
申请日:2021-06-09
Applicant: 重庆大学
IPC: H01L33/50
Abstract: 本发明涉及一种基于碳点和AgInZnS纳米颗粒的高显色指数WLED制备方法及其产品,属于半导体发光材料技术领域。本发明提供了一种基于碳点和AgInZnS纳米颗粒的高显色指数WLED的制备方法,主要将蓝色发光碳点、绿色发光碳点和红色发光AgInZnS纳米颗粒涂覆到在UV‑LED芯片上制备高显色指数WLED,该方法所选用的荧光材料无毒性,制备过程中不使用毒性有机溶剂,对人体及环境均无危害;同时在制备过程中不需惰性气体保护,操作简单,制备成本低廉,适合工业化生产。通过本发明的制备方法制备得到的基于碳点和AgInZnS纳米颗粒的高显色指数WLED具有色温可调、显色指数高且显色稳定性好的特点。
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公开(公告)号:CN113340948A
公开(公告)日:2021-09-03
申请号:CN202110642013.9
申请日:2021-06-09
Applicant: 重庆大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明涉及一种基于卤化钙钛矿微晶的高响应湿度传感器制备方法及其产品,属于半导体传感器制备技术领域。本发明提供了一种基于卤化钙钛矿微晶的高响应湿度传感器制备方法,主要采用油胺钝化的Cs3Cu2Br5钙钛矿微晶或辛胺钝化的Cs3Cu2Br5钙钛矿微晶涂覆在叉指电极上形成传感器,制备得到的传感器具有响应性高且检测稳定性好的特点。本发明采用的制备方法中采用的敏感材料无毒性,制备过程中通过表面钝化技术对材料敏感性能进行改善;同时制备过程中操作简单、制备成本低廉、适合工业化生产。
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