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公开(公告)号：CN102522365B
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201210008820.6
申请日：2012-01-12
Applicant: 重庆大学
IPC: H01L21/762 , H01L29/06 , H01L29/872
Abstract: 本发明公开碲基复合薄膜作为SOI材料的应用，所述碲基复合薄膜为含SiO2颗粒之间嵌有TeO2和/或Te形成Te/TeO2－SiO2的复合薄膜结构。将碲基复合薄膜应用于SOI器件中，制备以碲基复合薄膜作为硅绝缘层的SOI结构的肖特基二极管器件。通过实验研究证明所述碲基复合薄膜具有高电阻特性、相对介电常数较小、大禁带宽度、高临界击穿电场、高电子迁移率等特点,成为SOI器件制备的理想绝缘材料。本发明解决SOI材料绝缘层的问题，以及开拓碲基复合薄膜的应用领域。
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公开(公告)号：CN102522365A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201210008820.6
申请日：2012-01-12
Applicant: 重庆大学
IPC: H01L21/762 , H01L29/06 , H01L29/872
Abstract: 本发明公开碲基复合薄膜作为SOI材料的应用，所述碲基复合薄膜为含SiO2颗粒之间嵌有TeO2和/或Te形成Te/TeO2－SiO2的复合薄膜结构。将碲基复合薄膜应用于SOI器件中，制备以碲基复合薄膜作为硅绝缘层的SOI结构的肖特基二极管器件。通过实验研究证明所述碲基复合薄膜具有高电阻特性、相对介电常数较小、大禁带宽度、高临界击穿电场、高电子迁移率等特点,成为SOI器件制备的理想绝缘材料。本发明解决SOI材料绝缘层的问题，以及开拓碲基复合薄膜的应用领域。
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公开(公告)号：CN101838112A
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN201010162549.2
申请日：2010-04-30
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开了一种三阶非线性光学性碲基复合薄膜及其制备方法，为SiO2颗粒之间嵌有TeO2和/或Te形成的Te/TeO2-SiO2复合薄膜结构，薄膜采用电化学诱导溶胶-凝胶方法制成，复合薄膜结构具有良好的非线特性，三阶非线性光学极化率χ(3)达到10-8esu以上；通过TeO2-SiO2透明复合溶胶采用电化学方法制备Te/TeO2-SiO2复合薄膜，利用电化学诱导从溶胶中析出TeO2和/或Te，与SiO2形成膜，达到形成Te/TeO2-SiO2复合薄膜结构的目的，工艺简单；通过TeO2-SiO2透明复合溶胶-凝胶采用真空镀膜的方法制备Te/TeO2-SiO2复合薄膜，利用热处理的温度控制，调控凝胶粉末中的组成和结构，达到形成Te/TeO2-SiO2复合薄膜结构的目的，工艺简单可靠可靠，膜层厚度均匀。
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公开(公告)号：CN102976628B
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201210537982.9
申请日：2012-12-13
Applicant: 重庆大学
IPC: C03C17/34
Abstract: 本发明涉及Te/TeO2-SiO2复合薄膜的一种新用途，即Te/TeO2-SiO2复合薄膜作为光限幅材料的应用；所述Te/TeO2-SiO2复合薄膜为SiO2颗粒之间嵌有TeO2和/或Te的复合薄膜，所述Te/TeO2-SiO2复合薄膜为TeO2-SiO2透明复合溶胶在-0.1~-1.5V下进行恒电位电化学诱导生成的复合薄膜。本发明选取不同制备电压下的Te/TeO2-SiO2复合薄膜样品进行光限幅实验，证明了Te/TeO2-SiO2复合薄膜具有较好的光限幅性能，揭示了其在光限幅方面的应用价值；因此，Te/TeO2-SiO2复合薄膜可以作为光限幅材料应用，可以将其应用于光限幅器件上。
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公开(公告)号：CN102778554A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201210276714.6
申请日：2012-08-06
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开了一种超临界CO2致裂增加页岩气储层渗透率的实验装置，包括气源供应系统、气体增压器、压力室、温度控制器以及数据自动采集系统，所述压力室内设有中心钻孔的页岩试件，所述气源供应系统通过气体增压器与压力室的进气管连通，所述气体增压器和压力室均置于温度控制器内，数据自动采集系统对页岩破裂过程应力-应变关系、压力、温度、声发射信号等进行实时采集，并对超临界CO2致裂页岩前后的渗流特性进行测定；本发明的装置能够模拟多场（地应力、温度、压力）耦合条件下超临界CO2致裂过程页岩气储层渗透率动态变化，为超临界CO2致裂增加页岩气储层渗透率机理的研究提供实验平台。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102566195A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210008822.5
申请日：2012-01-12
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开一种CuOx/SiO2（x=0,0.5,1）三阶非线性光学复合薄膜材料及其制备方法，即SiO2薄膜上分别嵌有Cu、Cu2O或者CuO颗粒的复合薄膜结构，颗粒大小从纳米级到微米级可调。薄膜采用电化学-溶胶凝胶方法制成，复合薄膜具有良好的非线性光学特性，三阶非线性光学极化率c(3)达到10-8esu以上；通过均匀稳定的铜盐硅溶胶采用电化学方法制备CuOx/SiO2复合薄膜，利用电化学诱导溶胶凝胶技术在阴极上形成SiO2凝胶膜，与此同时Cu离子在阴极上电沉积为CuOx颗粒，镶嵌于SiO2凝胶膜中，构成CuOx/SiO2复合薄膜。CuOx中x值及CuOx颗粒的大小取决于电位。薄膜的厚度也可以通过电位和时间调节。
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公开(公告)号：CN101531365A
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200910103409.5
申请日：2009-03-18
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开了一种变压吸附分离甲烷/氮气用成型活性炭的制备方法，该制备方法包括如下步骤：(a)粉碎，将煤炭粉碎到160～200目；(b)空气预氧化，将煤粉放入加热炉中并置于空气中，以5℃～15/min的升温速度加热至300～450℃，在此温度下恒温0.5～2.5h；(c)混捏，向煤粉中加入煤焦油粘结剂和水均匀混合；(d)成型，在成型机上成型为圆柱体颗粒，再在80～90℃温度下干燥3～8h；(e)碳化，将成型后的煤放入加热炉中，在氮气保护下碳化；(f)冷却至室温出料，再经水洗、干燥后即得到活性炭。该制备方法具有工艺简单，成本低、污染小的特点，且制备的活性炭具有甲烷/氮气分离效果好的优点。
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公开(公告)号：CN102778554B
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201210276714.6
申请日：2012-08-06
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开了一种超临界CO2致裂增加页岩气储层渗透率的实验装置，包括气源供应系统、气体增压器、压力室、温度控制器以及数据自动采集系统，所述压力室内设有中心钻孔的页岩试件，所述气源供应系统通过气体增压器与压力室的进气管连通，所述气体增压器和压力室均置于温度控制器内，数据自动采集系统对页岩破裂过程应力-应变关系、压力、温度、声发射信号等进行实时采集，并对超临界CO2致裂页岩前后的渗流特性进行测定；本发明的装置能够模拟多场（地应力、温度、压力）耦合条件下超临界CO2致裂过程页岩气储层渗透率动态变化，为超临界CO2致裂增加页岩气储层渗透率机理的研究提供实验平台。
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公开(公告)号：CN102698738B
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201210178350.8
申请日：2012-06-01
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开了一种含K2O的SCR脱硝催化剂及其制备方法；所述催化剂的载体为TiO2，在TiO2上依次负载有WO3、K2O和V2O5，所述K2O与V2O5的摩尔含量比为0.02~0.1:1；所述催化剂的制备方法包括以下步骤：1）将二氧化钛粉体和三氧化钨粉体加入K2O的前驱物溶液中搅拌浸渍，然后干燥、煅烧；2）将步骤1）得到的负载了K2O的粉体加入硫酸氧钒溶液中搅拌浸渍，然后干燥、煅烧。通过本发明的方法在TiO2上负载K2O，不但没有使催化剂中毒，反而使脱硝性能有所提高，克服了现有技术关于K2O对V2O5-WO3/TiO2催化剂仅有负面影响的技术偏见。
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公开(公告)号：CN102976628A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201210537982.9
申请日：2012-12-13
Applicant: 重庆大学
IPC: C03C17/34
Abstract: 本发明涉及Te/TeO2-SiO2复合薄膜的一种新用途，即Te/TeO2-SiO2复合薄膜作为光限幅材料的应用；所述Te/TeO2-SiO2复合薄膜为SiO2颗粒之间嵌有TeO2和/或Te的复合薄膜，所述Te/TeO2-SiO2复合薄膜为TeO2-SiO2透明复合溶胶在-0.1~-1.5V下进行恒电位电化学诱导生成的复合薄膜。本发明选取不同制备电压下的Te/TeO2-SiO2复合薄膜样品进行光限幅实验，证明了Te/TeO2-SiO2复合薄膜具有较好的光限幅性能，揭示了其在光限幅方面的应用价值；因此，Te/TeO2-SiO2复合薄膜可以作为光限幅材料应用，可以将其应用于光限幅器件上。
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