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公开(公告)号：CN112924424B
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202110082683.X
申请日：2021-01-21
Applicant: 重庆大学
IPC: G01N21/64
Abstract: 本发明荧光薄块的制备方法和痕量爆炸物TATP光纤荧光探头，荧光薄块包括玻璃基底和形成在玻璃基底正面上的含萘二酰亚胺的氮杂环丁烷衍生物的荧光敏感薄膜，荧光敏感薄膜的制备包括清洁及活化玻璃基底，再用乙烯基三甲氧基硅烷的乙醇溶液处理玻璃基底，然后在玻璃基底上旋涂荧光溶胶－凝胶溶液。光纤痕量爆炸物TATP荧光探头包括反射式光纤探头和荧光薄块，荧光薄块包括玻璃基底和含DNNDI的荧光敏感薄膜。本发明解决了对TATP进行实时、快速和非接触式检测等技术问题。
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公开(公告)号：CN111863317B
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202010738212.5
申请日：2020-07-28
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开了一种WAPC叠层透明电极及其制备方法，WAPC叠层透明电极包括CuSCN薄膜层、PEI薄膜层、Ag膜层、以及WO3薄膜层；WAPC叠层透明电极的制备方法包括以下步骤：1)配置CuSCN溶液；2)配置PEI乙醇溶液；3)将CuSCN溶液旋涂在cPI表面，之后高温退火得到CuSCN薄膜；4)将PEI溶液旋涂在CuSCN薄膜之上制备PEI薄膜；5)先在PEI薄膜上蒸镀出Ag膜，再在Ag膜上蒸镀出WO3薄膜。本发明采用PEI作为种子层，能使Ag原子均匀的沉积在PEI表面形成均匀连续的薄膜，且成膜厚度能达到10nm以下，提高了叠层透明电极的透过率和导电性。
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公开(公告)号：CN112924424A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN202110082683.X
申请日：2021-01-21
Applicant: 重庆大学
IPC: G01N21/64
Abstract: 本发明荧光薄块的制备方法和痕量爆炸物TATP光纤荧光探头，荧光薄块包括玻璃基底和形成在玻璃基底正面上的含萘二酰亚胺的氮杂环丁烷衍生物的荧光敏感薄膜，荧光敏感薄膜的制备包括清洁及活化玻璃基底，再用乙烯基三甲氧基硅烷的乙醇溶液处理玻璃基底，然后在玻璃基底上旋涂荧光溶胶－凝胶溶液。光纤痕量爆炸物TATP荧光探头包括反射式光纤探头和荧光薄块，荧光薄块包括玻璃基底和含DNNDI的荧光敏感薄膜。本发明解决了对TATP进行实时、快速和非接触式检测等技术问题。
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公开(公告)号：CN111863317A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010738212.5
申请日：2020-07-28
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开了一种WAPC叠层透明电极及其制备方法，WAPC叠层透明电极包括CuSCN薄膜层、PEI薄膜层、Ag膜层、以及WO3薄膜层；WAPC叠层透明电极的制备方法包括以下步骤：1)配置CuSCN溶液；2)配置PEI乙醇溶液；3)将CuSCN溶液旋涂在cPI表面，之后高温退火得到CuSCN薄膜；4)将PEI溶液旋涂在CuSCN薄膜之上制备PEI薄膜；5)先在PEI薄膜上蒸镀出Ag膜，再在Ag膜上蒸镀出WO3薄膜。本发明采用PEI作为种子层，能使Ag原子均匀的沉积在PEI表面形成均匀连续的薄膜，且成膜厚度能达到10nm以下，提高了叠层透明电极的透过率和导电性。
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