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公开(公告)号：CN107519905B
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN201710701210.7
申请日：2017-08-16
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开了一种能在宽pH范围下使用的碳化钒纳米筛电催化材料，具有单晶多孔结构，分子式为V8C7。按照如下步骤制备：(1)将无机钒源溶液、无机锌源溶液、表面活性剂、沉淀剂溶液混合，搅拌，将混合溶液转入反应釜中，密封反应釜，在120‑160℃鼓风干燥箱中进行水热反应，将反应得到的沉淀物离心洗涤，然后干燥得到前驱物；(2)将步骤(1)得到的前驱物在惰性气体和还原气体的作用下煅烧，煅烧温度为850‑1050℃，产物即为单晶多孔V8C7纳米筛。得到单晶七碳化八钒纳米筛。该材料在宽pH范围(pH＝0‑14)展现出优异的的电催化析氢性能，对高纯度氢气的工业化生产及其应用具有重要意义，具有广阔的前景。
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公开(公告)号：CN107519905A
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201710701210.7
申请日：2017-08-16
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开了一种能在宽pH范围下使用的碳化钒纳米筛电催化材料，具有单晶多孔结构，分子式为V8C7。按照如下步骤制备：(1)将无机钒源溶液、无机锌源溶液、表面活性剂、沉淀剂溶液混合，搅拌，将混合溶液转入反应釜中，密封反应釜，在120-160℃鼓风干燥箱中进行水热反应，将反应得到的沉淀物离心洗涤，然后干燥得到前驱物；(2)将步骤(1)得到的前驱物在惰性气体和还原气体的作用下煅烧，煅烧温度为850-1050℃，产物即为单晶多孔V8C7纳米筛。得到单晶七碳化八钒纳米筛。该材料在宽pH范围(pH＝0-14)展现出优异的电催化析氢性能，对高纯度氢气的工业化生产及其应用具有重要意义，具有广阔的前景。
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公开(公告)号：CN106835190B
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201710045222.9
申请日：2017-01-19
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开了一种单晶多孔九硒化二钒纳米片阵列电催化材料，在导电基底上生长九硒化二钒纳米阵列，所述九硒化二钒为单晶多孔结构。制备方法为：配制浓度为1‑4mol/L的偏钒酸铵溶液，调节pH1‑3，转入反应釜中，将导电基底放入反应釜中，密封反应釜，进行第一次水热反应，在导电基底表面生长偏钒酸铵纳米片阵列，取出导电基底，用去离子水冲洗表面，然后干燥；将步骤处理后的导电基底在马弗炉中煅烧，得到多孔五氧化二钒纳米片阵列；迅速将制得的硒氢化钠溶液转移到反应釜中，再得到的导电基底斜置放入反应釜中，密封该反应釜，然后将反应釜放入鼓风干燥箱中，进行第二次水热反应；制得九硒化二钒纳米片阵列。该催化剂降低了制氢成本，催化活性与金属铂相当。
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公开(公告)号：CN106835190A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710045222.9
申请日：2017-01-19
Applicant: 重庆大学
CPC classification number: C25B11/035 , C25B1/04 , C25B11/0489
Abstract: 本发明公开了一种单晶多孔九硒化二钒纳米片阵列电催化材料，在导电基底上生长九硒化二钒纳米阵列，所述九硒化二钒为单晶多孔结构。制备方法为：配制浓度为1‑4mol/L的偏钒酸铵溶液，调节pH1‑3，转入反应釜中，将导电基底放入反应釜中，密封反应釜，进行第一次水热反应，在导电基底表面生长偏钒酸铵纳米片阵列，取出导电基底，用去离子水冲洗表面，然后干燥；将步骤处理后的导电基底在马弗炉中煅烧，得到多孔五氧化二钒纳米片阵列；迅速将制得的硒氢化钠溶液转移到反应釜中，再得到的导电基底斜置放入反应釜中，密封该反应釜，然后将反应釜放入鼓风干燥箱中，进行第二次水热反应；制得九硒化二钒纳米片阵列。该催化剂降低了制氢成本，催化活性与金属铂相当。
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