-
公开(公告)号：CN113481000B
公开(公告)日：2023-02-21
申请号：CN202110777018.2
申请日：2021-07-09
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明涉及一种零维掺杂铯铜溴纳米晶的制备方法及其产品和应用，属于纳米晶材料制备技术领域。本发明公开了一种零维掺杂铯铜溴纳米晶的制备方法，主要采用热注入的方法进行制备，实现对零维铯铜溴纳米晶进行铅掺杂，可以在零维铯铜溴纳米晶自身拥有的自陷态激子蓝光宽光谱发射的基础上，新出现由铅掺杂引起的自陷态激子红光宽光谱发射，使其可以在零维铅掺杂铯铜溴中同时出现两种自陷态激子发射，这两种发射的PLQY相当且都具有宽的发射光谱，因此出现了覆盖整个可见光光谱的白光发射；同时由于自陷态激子导致的宽的斯托克斯位移，几乎没有自吸收现象。本发明的制备方法具有低成本、低条件、高可重复性等优势。
-
公开(公告)号：CN113481000A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110777018.2
申请日：2021-07-09
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明涉及一种零维掺杂铯铜溴纳米晶的制备方法及其产品和应用，属于纳米晶材料制备技术领域。本发明公开了一种零维掺杂铯铜溴纳米晶的制备方法，主要采用热注入的方法进行制备，实现对零维铯铜溴纳米晶进行铅掺杂，可以在零维铯铜溴纳米晶自身拥有的自陷态激子蓝光宽光谱发射的基础上，新出现由铅掺杂引起的自陷态激子红光宽光谱发射，使其可以在零维铅掺杂铯铜溴中同时出现两种自陷态激子发射，这两种发射的PLQY相当且都具有宽的发射光谱，因此出现了覆盖整个可见光光谱的白光发射；同时由于自陷态激子导致的宽的斯托克斯位移，几乎没有自吸收现象。本发明的制备方法具有低成本、低条件、高可重复性等优势。
-
公开(公告)号：CN113072931A
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202110340198.8
申请日：2021-03-30
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明涉及一种氧化硅单包铯铜氯量子点及其制备方法和应用，属于量子点技术领域。本发明利用低温包覆技术，在较低温度下利用前驱体捕捉空气中的水并且进行快速水解，在铯铜氯量子点表面成功包覆氧化硅，氧化硅包覆不仅可以有效钝化铯铜氯量子点的表面缺陷，增加其发光量子产率，还可以提高量子点的稳定性。该氧化硅单包铯铜氯量子点薄膜发光量子产率高达76％，利用该氧化硅单包铯铜氯量子点制备的白光发光二极管具有发光显色指数高和色温适宜等优势，且稳定性好。在可见光通信中作为光源，其‑3dB带宽为420KHz，在OFDM模式下的比特加载达到了4bit/s/Hz。该方法具有重复性好、无高温高压条件需求、成本较低等特点，适合扩大化生产。
-
-
Search Results
3
records
(took 0.014 seconds)
