公开(公告)号：CN115508683A

公开(公告)日：2022-12-23

申请号：CN202211164032.6

申请日：2022-09-23

申请人： 重庆大学

发明人： 杜雄 ,  李金阳 ,  刘俊良 ,  王靖 ,  刘强强 ,  范成毅

IPC分类号： G01R31/26

摘要： 本发明提供的一种IGBT模块键合线状态检测装置，其特征在于：包括测量驱动电路、控制器以及检测电路；所述控制器，用于根据用户指令向测量驱动电路输出控制指令，控制测量驱动电路工作或者停止工作；所述测量驱动电路，用于接收控制器输出的控制指令，并向待测的IGBT输出驱动电压驱动IGBT模块导通；所述检测电路，用于在IGBT模块达到稳态且测量驱动电路停止输出驱动电压后测量IGBT模块的门极电压以及IGBT的集电极电流并输出至控制器，根据门极电压以及集电极电流确定IGBT模块的跨导以及导通阈值，并依据跨导和导通阈值判断IGBT模块键合线的健康状态。

公开(公告)号：CN115542055A

公开(公告)日：2022-12-30

申请号：CN202211288383.8

申请日：2022-10-20

申请人： 重庆大学

发明人： 杜雄 ,  彭玉豪 ,  李金阳 ,  王靖 ,  余瑶怡 ,  范成毅 ,  郑连清 ,  任宏宇 ,  周君洁 ,  刘强强

IPC分类号： G01R31/00 ,  G01R31/26

摘要： 本发明公开了一种双模式IGBT加速老化试验系统及方法，包括第一老化IGBT器件阵列、第二老化IGBT器件阵列、可编程电源以及测试电流源；所述第一老化IGBT器件阵列用于功率循环加速老化试验；所述第二老化IGBT器件阵列用于高温高湿度的偏压加速老化试验；所述可编程电源用于向第一老化IGBT器件阵列提供加热电流以及向第二老化IGBT器件阵列提供偏置电压；所述测试电流源用于向第一老化IGBT器件阵列提供小于加热电流的小电流。本发明能够同时老化多个器件，并且具有两种老化模式，在满足高效率老化的同时，也能改变器件运行环境工况，进行对照试验。