公开(公告)号：CN119669812A

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202411575175.5

申请日：2024-11-06

Applicant: 国网重庆市电力公司长寿供电分公司 ,  重庆大学 ,  西南大学

Inventor： 常家宁 ,  胡宗军 ,  姚远 ,  周渠 ,  张宇 ,  曾文 ,  陈彦润 ,  谭红 ,  王璨 ,  邹宇 ,  罗维 ,  刘晓峰

IPC: G06F18/24 ,  G01R31/12 ,  G01N33/00 ,  G01N21/84 ,  G06F18/23 ,  G06N3/0464 ,  G06N3/0499 ,  G06N3/084

Abstract: 本发明涉及开关柜故障诊断技术领域，特别涉及一种开关柜绝缘劣化诊断方法。所述方法包括：获取开关柜的特征气体的特征数据；以BP神经网络模型诊断特征气体的特征数据。若BP神经网络模型诊断为具体劣化故障类别时，以该劣化故障类别作为诊断结果；若BP神经网络模型诊断为易误判劣化故障时，根据组成易误判劣化故障的组成，拍摄开关柜对应位置图像数据进行图像数据诊断，获取诊断结果。两种及上不同的绝缘少化故障由于放电量不同，可能出现特征气体成分和浓度相似的情况，本发明针对该情况，特别设计了独特的诊断结果标识，可显著提高诊断准确性。

公开(公告)号：CN115910606B

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202211627834.6

申请日：2022-12-17

Applicant: 重庆大学

Inventor： 赵学童 ,  王璨 ,  乔镜琪 ,  肖永健 ,  康晟淋 ,  余亮 ,  杨丽君 ,  廖瑞金

IPC: H01G4/18 ,  H01G4/14 ,  H01G4/33 ,  H01G13/04

Abstract: 本发明公开了一种基于纳秒电脉冲诱导制备高性能PVDF基储能薄膜的方法，其步骤包括：制备聚偏氟乙烯‑六氟丙烯（P(VDF‑HFP)溶液，取适量溶液均匀滴加在清洗干净的玻璃凹槽中，并在一定温度下施加不同的纳秒电脉冲。自然降至室温后，将薄膜淬火，再放入真空干燥箱中干燥，以进一步除去水分和残留溶剂。本发明通过控制纳秒电脉冲的幅值、脉宽、频率、加压时间、真空干燥的时间和温度以及定制凹槽的尺寸，采用溶液浇铸法即可得到β相含量高和储能性能优异的P(VDF‑HFP)薄膜，β相含量达80%以上，充放电能量密度达14 J/cm3，充放电效率可以达到~60%以上。本发明省去了复杂的二次工艺，操作简单，大大节约了生产成本，在高性能PVDF基储能薄膜制备方面有明显的优势和应用前景。

公开(公告)号：CN115910606A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202211627834.6

申请日：2022-12-17

Applicant: 重庆大学

Inventor： 赵学童 ,  王璨 ,  乔镜琪 ,  肖永健 ,  康晟淋 ,  余亮 ,  杨丽君 ,  廖瑞金

IPC: H01G4/18 ,  H01G4/14 ,  H01G4/33 ,  H01G13/04

Abstract: 本发明公开了一种基于纳秒电脉冲诱导制备高性能PVDF基储能薄膜的方法，其步骤包括：制备聚偏氟乙烯‑六氟丙烯（P(VDF‑HFP)溶液，取适量溶液均匀滴加在清洗干净的玻璃凹槽中，并在一定温度下施加不同的纳秒电脉冲。自然降至室温后，将薄膜淬火，再放入真空干燥箱中干燥，以进一步除去水分和残留溶剂。本发明通过控制纳秒电脉冲的幅值、脉宽、频率、加压时间、真空干燥的时间和温度以及定制凹槽的尺寸，采用溶液浇铸法即可得到β相含量高和储能性能优异的P(VDF‑HFP)薄膜，β相含量达80%以上，充放电能量密度达14 J/cm3，充放电效率可以达到~60%以上。本发明省去了复杂的二次工艺，操作简单，大大节约了生产成本，在高性能PVDF基储能薄膜制备方面有明显的优势和应用前景。