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公开(公告)号:CN106531702A
公开(公告)日:2017-03-22
申请号:CN201611158120.X
申请日:2016-12-15
Applicant: 重庆大学
IPC: H01L23/31 , H01L23/367 , H01L23/522
CPC classification number: H01L2224/72 , H01L23/31 , H01L23/367 , H01L23/522
Abstract: 本发明公开了一种元胞结构式功率模块3D封装构造,至少包括一个元胞,所述元胞包括上绝缘层、下绝缘层、设置于上绝缘层与下绝缘层之间的芯片组件和用于固定上绝缘层与下绝缘层并作为电极的电极组件;元胞式结构可以轻松实现电路拓扑任意串并联结构,元胞式结构组合而成的单元同样也可以实现串并联,极大的降低了模块设计的难度;芯片不需要焊接以及键合线,使用金属卡子作为电流的传导介质,可以有效降低回路的寄生参数;3D立体布局可以有效降低模块的体积,提高功率密度;元胞式结构的单元化设计可以避免多芯片串并联发热集中,散热难的问题,立体布局有利于模块的散热。
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公开(公告)号:CN110427726A
公开(公告)日:2019-11-08
申请号:CN201910740248.4
申请日:2019-08-12
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明涉及一种复杂结构工频电场计算的粒子群优化模拟电荷法,属于电气工程技术领域。复杂结构工频电场计算的粒子群优化模拟电荷法以下步骤:S1:传统优化模拟电荷法CSM;S2:粒子群优化算法PSO;S3:粒子群优化模拟电荷法PSO-CSM。本优化模拟电荷法解决带电设施形状复杂或计算规模较大时,单独使用模拟电荷法难以找到较为合理的模拟电荷布置方式的难题。且连续运行结果基本稳定,均可保持较高的优化水平,具有较好的鲁棒性。
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公开(公告)号:CN106531702B
公开(公告)日:2019-07-23
申请号:CN201611158120.X
申请日:2016-12-15
Applicant: 重庆大学
IPC: H01L23/31 , H01L23/367 , H01L23/522
CPC classification number: H01L2224/72
Abstract: 本发明公开了一种元胞结构式功率模块3D封装构造,至少包括一个元胞,所述元胞包括上绝缘层、下绝缘层、设置于上绝缘层与下绝缘层之间的芯片组件和用于固定上绝缘层与下绝缘层并作为电极的电极组件;元胞式结构可以轻松实现电路拓扑任意串并联结构,元胞式结构组合而成的单元同样也可以实现串并联,极大的降低了模块设计的难度;芯片不需要焊接以及键合线,使用金属卡子作为电流的传导介质,可以有效降低回路的寄生参数;3D立体布局可以有效降低模块的体积,提高功率密度;元胞式结构的单元化设计可以避免多芯片串并联发热集中,散热难的问题,立体布局有利于模块的散热。
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公开(公告)号:CN206388694U
公开(公告)日:2017-08-08
申请号:CN201621381082.X
申请日:2016-12-15
Applicant: 重庆大学
IPC: H01L23/31 , H01L23/367 , H01L23/522
Abstract: 本实用新型公开了一种半导体功率模块3D封装构造,至少包括一个元胞,所述元胞包括上绝缘层、下绝缘层、设置于上绝缘层与下绝缘层之间的芯片组件和用于固定上绝缘层与下绝缘层并作为电极的电极组件;元胞式结构可以轻松实现电路拓扑任意串并联结构,元胞式结构组合而成的单元同样也可以实现串并联,极大的降低了模块设计的难度;芯片不需要焊接以及键合线,使用金属卡子作为电流的传导介质,可以有效降低回路的寄生参数;3D立体布局可以有效降低模块的体积,提高功率密度;元胞式结构的单元化设计可以避免多芯片串并联发热集中,散热难的问题,立体布局有利于模块的散热。
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