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公开(公告)号：CN113089074A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110341818.X
申请日：2021-03-30
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所 , 重庆大学
Abstract: 一种基于二维运动的DKDP晶体长籽晶生长方法，具有两大优势，一是沿柱面生长晶体，不存在低光学质量的柱锥交界面；二是免除了转晶法晶体生长中不可避免的迎流、侧流和尾流三种易引起包裹物形成的流动区域。长籽晶在新鲜溶液中周期运动，运动一周四个柱面能实现可逆剪切流，且柱面上任一点在一个运动周期内经历完全一样的流体力学条件，使溶质供应既充分又均匀，生长速度得以提高，形貌稳定性能得到保证。该方法有利于快速生长高质量的DKDP晶体，为ICF激光装置所需的大尺寸、高质量DKDP晶体生长提供较好的解决方案。
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公开(公告)号：CN113089074B
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN202110341818.X
申请日：2021-03-30
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所 , 重庆大学
Abstract: 一种基于二维运动的DKDP晶体长籽晶生长方法，具有两大优势，一是沿柱面生长晶体，不存在低光学质量的柱锥交界面；二是免除了转晶法晶体生长中不可避免的迎流、侧流和尾流三种易引起包裹物形成的流动区域。长籽晶在新鲜溶液中周期运动，运动一周四个柱面能实现可逆剪切流，且柱面上任一点在一个运动周期内经历完全一样的流体力学条件，使溶质供应既充分又均匀，生长速度得以提高，形貌稳定性能得到保证。该方法有利于快速生长高质量的DKDP晶体，为ICF激光装置所需的大尺寸、高质量DKDP晶体生长提供较好的解决方案。
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公开(公告)号：CN113046820A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202110284799.1
申请日：2021-03-16
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本项目涉及一种KDP晶体一维往复运动生长方法，具有两大优势。一是避免了传统转晶法、二维和三维运动方法存在的极易形成包裹物的三种流动区域：迎流滞止区、背流对流涡胞区和侧壁边界层下游区；二是充分利用KDP晶体的一维对称性，靠往复运动实现可逆剪切流，可逆剪切流具备极佳的生长高质量晶体的水动力学条件，是理论上预测的晶面形貌“恒稳”的方式。该方法有利于实现快速的高质量KDP晶体生长，为惯性约束激光核聚变(ICF)激光装置所需的大尺寸和高质量KDP晶体提供较好的解决方案。
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公开(公告)号：CN103343383A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201310263158.3
申请日：2013-06-27
Applicant: 重庆大学
IPC: C30B7/08
Abstract: 本发明属于晶体生长技术领域，涉及一种维持过饱和度恒定的降温法晶体生长系统，该系统包括拉力传感器和热电偶构成的检测单元，信号处理器和微机组成的控制单元，以及温控器构成的执行单元；该系统能够实时测量生长晶体的质量变化量，并以此为依据来调节水浴降温，使溶液温度降低所带来的过饱和度的增加量与晶体生长所引起的过饱和度的减少量相等，从而实现晶体在恒定的过饱和度下稳定快速生长，抑制生长层和包裹体的产生，提高生长晶体的质量。
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公开(公告)号：CN105603503A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201610020922.8
申请日：2016-01-13
Applicant: 重庆大学
IPC: C30B7/00
CPC classification number: C30B7/00
Abstract: 本发明提供了一种晶体在溶液中做行星式转动的生长装置，该装置包括：生长容器、行星式旋转水封、行星驱动机构和晶体托盘。行星驱动机构输出端通过支撑杆与晶体托盘相连，驱动晶体托盘在生长容器中作自转和行星式公转。本发明中，晶体自转和行星式公转由两个电机各自单独驱动，可实现晶体匀速公转和周期性正反自转。选择合适的晶体自转周期和转速，可以最大限度地提高晶体生长过程中各面生长条件的相似性，保持各锥面或柱面生长速率的一致性。与单纯的晶体自转方式相比，本发明可使溶液得到更充分的混合，大大提高溶液中浓度和温度分布的均匀性；同时消除晶体减速、停转及加速自转过程中溶质供应的剧烈波动。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103060888B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201310005683.5
申请日：2013-01-08
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明属于晶体生长技术领域，涉及一种晶体作三维运动的溶液中生长晶体的方法，根据溶解度公式，配制一定温度的饱和溶液；过滤后，在饱和温度以上20℃过热得生长溶液；将籽晶用胶固定在掣晶杆顶端；胶固化后将其引入到育晶器中，籽晶经微溶和再生过程后进入晶体生长阶段；生长期间，晶体靠掣晶杆带动按如下方式周期性地作三维运动：由左向右，由下向上，由外往里，由右向左，由上向下，由里往外。本发明中，由于晶体每一个晶面在生长过程中反复地轮流地作为迎面、侧面和背面的相对溶液的运动，因此消除了现有方法中包裹物等缺陷易形成的区域，能保持晶体表面大而且较为均匀的过饱和度，是一种快速的全方位的高质量溶液中生长晶体的方法。
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公开(公告)号：CN113604882B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202110716799.4
申请日：2021-06-28
Applicant: 重庆大学
Abstract: 一种KDP类晶体溶液交替流生长方法，采用溶液交替地反方向流过柱面，形成“可逆”剪切流，实现快速、高质量的KDP类晶体生长。该方法避免了传统转晶法、二维、三维晶体平动法难以避免的棱边处边界层分离所形成的低过饱和度区域，溶液交替喷射而形成的“可逆”剪切流，更有利于晶面形貌的稳定，从而提高生长晶体的质量；交替射流对流强度较强，能有效减薄晶面溶质边界层厚度，实现快速生长。该方法为KDP类晶体的快速高质量生长提供了可能。
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公开(公告)号：CN113604882A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202110716799.4
申请日：2021-06-28
Applicant: 重庆大学
Abstract: 一种KDP类晶体溶液交替流生长方法，采用溶液交替地反方向流过柱面，形成“可逆”剪切流，实现快速、高质量的KDP类晶体生长。该方法避免了传统转晶法、二维、三维晶体平动法难以避免的棱边处边界层分离所形成的低过饱和度区域，溶液交替喷射而形成的“可逆”剪切流，更有利于晶面形貌的稳定，从而提高生长晶体的质量；交替射流对流强度较强，能有效减薄晶面溶质边界层厚度，实现快速生长。该方法为KDP类晶体的快速高质量生长提供了可能。
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公开(公告)号：CN105603503B
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201610020922.8
申请日：2016-01-13
Applicant: 重庆大学
IPC: C30B7/00
Abstract: 本发明提供了一种晶体在溶液中做行星式转动的生长装置，该装置包括：生长容器、行星式旋转水封、行星驱动机构和晶体托盘。行星驱动机构输出端通过支撑杆与晶体托盘相连，驱动晶体托盘在生长容器中作自转和行星式公转。本发明中，晶体自转和行星式公转由两个电机各自单独驱动，可实现晶体匀速公转和周期性正反自转。选择合适的晶体自转周期和转速，可以最大限度地提高晶体生长过程中各面生长条件的相似性，保持各锥面或柱面生长速率的一致性。与单纯的晶体自转方式相比，本发明可使溶液得到更充分的混合，大大提高溶液中浓度和温度分布的均匀性；同时消除晶体减速、停转及加速自转过程中溶质供应的剧烈波动。
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公开(公告)号：CN103060888A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201310005683.5
申请日：2013-01-08
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明属于晶体生长技术领域，涉及一种晶体作三维运动的溶液中生长晶体的方法，根据溶解度公式，配制一定温度的饱和溶液；过滤后，在饱和温度以上20℃过热得生长溶液；将籽晶用胶固定在掣晶杆顶端；胶固化后将其引入到育晶器中，籽晶经微溶和再生过程后进入晶体生长阶段；生长期间，晶体靠掣晶杆带动按如下方式周期性地作三维运动：由左向右，由下向上，由外往里，由右向左，由上向下，由里往外。本发明中，由于晶体每一个晶面在生长过程中反复地轮流地作为迎面、侧面和背面的相对溶液的运动，因此消除了现有方法中包裹物等缺陷易形成的区域，能保持晶体表面大而且较为均匀的过饱和度，是一种快速的全方位的高质量溶液中生长晶体的方法。
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