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公开(公告)号：CN105975803B
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201610605852.2
申请日：2016-07-27
Applicant: 重庆大学
IPC: G06F19/00
Abstract: 本发明公开了一种高精度硅太阳能电池的工程模型及计算方法，包括以下步骤：S1通过基本等效参数模型得到基本I‑V输出函数S2考虑辐照度与温度对等效参数的影响，尤其是对串联等效电阻的影响，从而对基本I‑V输出函数进行修正，并且合理简化修正后的结果；S3最后通过对实验数据拟合得到修正简化后的I‑V输出函数中难以通过理论计算得到的参数，从而得到太阳能电池的工程模型。本发明方法考虑了温度，以及辐照度对太阳能电池等效参数的影响，并且重点考虑了对串联等效电阻的影响，进而进一步修正了太阳能电池输出的工程数学模型。本发明对太阳能电池输出的精确表达式做了合理简化，并保证了精确性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106058489A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610477679.2
申请日：2016-06-24
Applicant: 重庆大学
IPC: H01Q21/00
CPC classification number: H01Q21/0087
Abstract: 本发明公开了一种电力工器具管理RFID陶瓷天线均匀直线阵设计方法，包括S1建立天线作用区域模型，建立球面坐标与直角坐标系XYZ，确定极端点与判断点；S2利用判断点和极端点得出天线阵增益Gr的大小，并根据天线阵增益Gr与天线阵阵元个数n的对应关系计算式，得到阵元个数n；S3根据判断点与极端点的位置所确定的空间角度θ，利用天线阵椭圆计算式得到天线阵阵元间距d；S4在得到阵元个数n和阵元间距d的基础上，建立RFID陶瓷天线均匀直线阵。本发明能够较好的满足在用户确定天线作用区域，并已知RFID标签参数的条件下，得到天线阵增益Gr，天线阵阵元个数n，天线阵阵元间距d，以及各阵元的坐标位置，实现RFID陶瓷天线均匀直线阵的设计。
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公开(公告)号：CN106058489B
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：CN201610477679.2
申请日：2016-06-24
Applicant: 重庆大学
IPC: H01Q21/00
Abstract: 本发明公开了一种电力工器具管理RFID陶瓷天线均匀直线阵设计方法，包括S1建立天线作用区域模型，建立球面坐标与直角坐标系XYZ，确定极端点与判断点；S2利用判断点和极端点得出天线阵增益Gr的大小，并根据天线阵增益Gr与天线阵阵元个数n的对应关系计算式，得到阵元个数n；S3根据判断点与极端点的位置所确定的空间角度θ，利用天线阵椭圆计算式得到天线阵阵元间距d；S4在得到阵元个数n和阵元间距d的基础上，建立RFID陶瓷天线均匀直线阵。本发明能够较好的满足在用户确定天线作用区域，并已知RFID标签参数的条件下，得到天线阵增益Gr，天线阵阵元个数n，天线阵阵元间距d，以及各阵元的坐标位置，实现RFID陶瓷天线均匀直线阵的设计。
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公开(公告)号：CN105978486B
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201610599612.6
申请日：2016-07-27
Applicant: 重庆大学
IPC: H02S50/10
Abstract: 本发明公开了一种硅太阳能电池阵列的故障检测方法，具体包括以下步骤：S1采集太阳能电池阵列的温度以及辐照度，得到太阳能电池阵列在该条件下的I‑V输出特性关系；S2根据得到的I‑V输出特性关系式，利用基于I‑V输出特性的实际串联等效电阻计算式，计算出太阳能电池组件的实际串联等效电阻RS1，通过基于环境参数的参考串联等效电阻计算式，计算出太阳能电池组件的参考串联等效电阻RS；S3根据实际串联等效电阻RS1与参考串联等效电阻RS之间的比值得到K；S4根据K值大小判别太阳能电池阵列故障、电池组件老化或被遮挡的严重程度。本发明综合考虑了温度，辐照度，输出电压、电流参数，提高了判别的精确度，并且能定位故障点的位置。
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公开(公告)号：CN105975803A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201610605852.2
申请日：2016-07-27
Applicant: 重庆大学
IPC: G06F19/00
CPC classification number: G06F19/00
Abstract: 本发明公开了一种高精度硅太阳能电池的工程模型及计算方法，包括以下步骤：S1通过基本等效参数模型得到基本I‑V输出函数S2考虑辐照度与温度对等效参数的影响，尤其是对串联等效电阻的影响，从而对基本I‑V输出函数进行修正，并且合理简化修正后的结果；S3最后通过对实验数据拟合得到修正简化后的I‑V输出函数中难以通过理论计算得到的参数，从而得到太阳能电池的工程模型。本发明方法考虑了温度，以及辐照度对太阳能电池等效参数的影响，并且重点考虑了对串联等效电阻的影响，进而进一步修正了太阳能电池输出的工程数学模型。本发明对太阳能电池输出的精确表达式做了合理简化，并保证了精确性。
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公开(公告)号：CN105978486A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201610599612.6
申请日：2016-07-27
Applicant: 重庆大学
IPC: H02S50/10
CPC classification number: H02S50/10
Abstract: 本发明公开了一种硅太阳能电池阵列的故障检测方法，具体包括以下步骤：S1采集太阳能电池阵列的温度以及辐照度，得到太阳能电池阵列在该条件下的I‑V输出特性关系；S2根据得到的I‑V输出特性关系式，利用基于I‑V输出特性的实际串联等效电阻计算式，计算出太阳能电池组件的实际串联等效电阻RS1，通过基于环境参数的参考串联等效电阻计算式，计算出太阳能电池组件的参考串联等效电阻RS；S3根据实际串联等效电阻RS1与参考串联等效电阻RS之间的比值得到K；S4根据K值大小判别太阳能电池阵列故障、电池组件老化或被遮挡的严重程度。本发明综合考虑了温度，辐照度，输出电压、电流参数，提高了判别的精确度，并且能定位故障点的位置。
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