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公开(公告)号：CN102408133B
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201110246322.0
申请日：2011-08-25
申请人： 重庆大学
摘要： 用天然硫铁矿制备纳米氧化铁薄膜的方法，该方法包括：首先以天然硫铁矿微粉为主要原料，与有机精选剂混合并充分搅拌以得固液混合物；将所得固液混合物经离心或过滤工艺除去易沉降性杂质，以得到硫化铁浆体；将所得硫化铁浆体沉积在基底材料上，然后干燥；将沉积有干燥了的硫化铁浆体的基底材料，直接置于空气中加热处理，得到纳米氧化铁薄膜等步骤。本发明直接以天然硫铁矿为主要原料，就省去了现有技术中须先把所需铁化合物从原料矿中提取出来，并进一步精制的一系列复杂的化学反应过程。因此，本发明是总成本较低的制备纳米氧化铁薄膜的方法，并且具有工艺简单、操作方便的优点。
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公开(公告)号：CN102357427A
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：CN201110191398.8
申请日：2011-07-10
申请人： 重庆大学
IPC分类号： B03D1/018 , B03D103/02
摘要： 一种用于硫铁矿浮选的组合药剂，该组合药剂包括起泡剂二号油、由乙基黄药和丁基黄药混合的捕收剂，本发明在硫铁矿中铁的质量含量为36.7～37.4％、杂质高岭土的质量含量为55.6～57.3％的情况下，以制成质量浓度为30～40％的硫铁矿矿浆为参照，在组合药剂中有二号油1000g/t，按1∶1比例混合的乙基黄药和丁基黄药共计200～400g/t，单宁酸100～200g/t，硫酸铜200～350g/t。本发明的组合药剂，对于浮选以高岭土为主要杂质的硫铁矿来讲，不但较大地提高了其精矿品位，且其回收率也有较大提高；同时，还具备对设备腐蚀性小，对人体、环境的不利影响小，成本相对较低的优点，进而提高了综合效益。
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公开(公告)号：CN102306665A
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN201110246320.1
申请日：2011-08-25
申请人： 重庆大学
IPC分类号： H01L31/032 , B01J27/043
摘要： 用天然硫铁矿制备的半导体薄膜原料浆体。该原料浆体按如下步骤制备而成：①将铁含量、硫含量以及粒径合适的天然硫铁矿微粉，与有机精选剂混合并充分搅拌、加热到，得一固液混合物；②将该固液混合物经离心或过滤工艺除去易沉降性杂质，即得为半导体薄膜原料的硫化铁浆体。其中，有机精选剂为颗粒活化剂与有机溶剂的混合物，颗粒活化剂为黄药、黑药、脂肪胺和苯磺酸类中的一种或二种的混合物。至少省去了现有技术须先把作为半导体薄膜的原料从矿物中分解出来、并提纯的工艺过程，并能工艺相对简单的方法来制备硫化铁薄膜和氧化铁薄膜。具有降低制备半导体薄膜总成本的有益效果。另外，制备本发明硫化铁浆体本身，还具有工艺简单、操作方便的优点。
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公开(公告)号：CN102408133A
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN201110246322.0
申请日：2011-08-25
申请人： 重庆大学
摘要： 用天然硫铁矿制备纳米氧化铁薄膜的方法，该方法包括：首先以天然硫铁矿微粉为主要原料，与有机精选剂混合并充分搅拌以得固液混合物；将所得固液混合物经离心或过滤工艺除去易沉降性杂质，以得到硫化铁浆体；将所得硫化铁浆体沉积在基底材料上，然后干燥；将沉积有干燥了的硫化铁浆体的基底材料，直接置于空气中加热处理，得到纳米氧化铁薄膜等步骤。本发明直接以天然硫铁矿为主要原料，就省去了现有技术中须先把所需铁化合物从原料矿中提取出来，并进一步精制的一系列复杂的化学反应过程。因此，本发明是总成本较低的制备纳米氧化铁薄膜的方法，并且具有工艺简单、操作方便的优点。
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公开(公告)号：CN102134640A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN201110048742.8
申请日：2011-03-01
申请人： 重庆大学
CPC分类号： Y02P10/212
摘要： 用电催化氧化浸取转炉钒渣的方法。本方法是将转炉钒渣与MnSO4、H2SO4调成矿浆液进行无隔膜电催化氧化浸取。浸后的矿浆液过滤分离后，得到的浸出液通过常规的氨盐（硫酸铵）沉钒提取其中的钒，以制备五氧化二钒的步骤。在浸取时，钒渣中不易浸出的低价钒被阳极生成的强氧化剂Mn3+氧化成易浸出的高价钒，从而利用电催化氧化法浸取钒渣提高了钒的浸出率，不仅避免了传统浸出方法中存在的高能耗、高污染的问题，而且还适用于其它含钒原料中钒的提取和辉钼矿精矿的选择性浸出，同时还具有选择性好工艺条件温和且无污染等特点，是一种环境友好的湿法分解新方法。
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公开(公告)号：CN102306665B
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201110246320.1
申请日：2011-08-25
申请人： 重庆大学
IPC分类号： H01L31/032 , B01J27/043
摘要： 用天然硫铁矿制备的半导体薄膜原料浆体。该原料浆体按如下步骤制备而成：①将铁含量、硫含量以及粒径合适的天然硫铁矿微粉，与有机精选剂混合并充分搅拌、加热，得一固液混合物；②将该固液混合物经离心或过滤工艺除去易沉降性杂质，即得为半导体薄膜原料的硫化铁浆体。其中，有机精选剂为颗粒活化剂与有机溶剂的混合物，颗粒活化剂为黄药、黑药、脂肪胺和苯磺酸类中的一种或二种的混合物。至少省去了现有技术须先把作为半导体薄膜的原料从矿物中分解出来、并提纯的工艺过程，并能工艺相对简单的方法来制备硫化铁薄膜和氧化铁薄膜。具有降低制备半导体薄膜总成本的有益效果。另外，制备本发明硫化铁浆体本身，还具有工艺简单、操作方便的优点。
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公开(公告)号：CN102424429B
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201110246321.6
申请日：2011-08-25
申请人： 重庆大学
IPC分类号： C01G49/12
摘要： 用天然硫铁矿制备硫化铁薄膜的方法，该方法包括制备硫化铁浆体，再以该硫化铁浆体为原料来制备硫化铁薄膜的两个阶段。其中，硫化铁浆体是直接以天然硫铁矿微粉为主要原料来制备的，也即省去了现有技术须先把硫与铁从硫铁矿中分解出来的一系列复杂的工艺过程。本发明不但因省去了“分解”所需的一系列复杂的工艺过程而节省了能源，也节省了大量的配用原料及时间；本发明所用天然硫铁矿微粉的粒径范围较宽，仅仅采用工艺相对简单的方法就可制备出符合技术要求的硫化铁薄膜。简言之，本发明方法具有成本较低、工艺简单、适用面广、操作方便的优点。
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公开(公告)号：CN101665953A
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200910190909.7
申请日：2009-09-21
申请人： 重庆大学
摘要： 一种电解金属锰的节能降耗方法。该方法在电解过程中，其电源采用的是脉冲电源，该脉冲电源的脉冲频率为900～1200Hz，占空比为40～80％，平均电流密度为380～420A/m 2 。在电解过程中，所用的阳极板为带有若干凹坑的电极板，这些凹坑的直径为0.5～2.5mm，各凹坑之间的中心距为2～9mm，各凹坑的深度为0.5～2.5mm。本发明能提高电流效率，验证表明：其电流效率由现有的不到75％，提高到了80.0％以上。本发明能减少阳极区的阳极泥产生量，从而可延长阳极板的使用时间，减少清槽次数，能取得节能降耗的有益效果、其电解金属锰的成本自然就大大降低。
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公开(公告)号：CN102424429A
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201110246321.6
申请日：2011-08-25
申请人： 重庆大学
IPC分类号： C01G49/12
摘要： 用天然硫铁矿制备硫化铁薄膜的方法，该方法包括制备硫化铁浆体，再以该硫化铁浆体为原料来制备硫化铁薄膜的两个阶段。其中，硫化铁浆体是直接以天然硫铁矿微粉为主要原料来制备的，也即省去了现有技术须先把硫与铁从硫铁矿中分解出来的一系列复杂的工艺过程。本发明不但因省去了“分解”所需的一系列复杂的工艺过程而节省了能源，也节省了大量的配用原料及时间；本发明所用天然硫铁矿微粉的粒径范围较宽，仅仅采用工艺相对简单的方法就可制备出符合技术要求的硫化铁薄膜。简言之，本发明方法具有成本较低、工艺简单、适用面广、操作方便的优点。
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公开(公告)号：CN101665953B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200910190909.7
申请日：2009-09-21
申请人： 重庆大学
摘要： 一种电解金属锰的节能降耗方法。该方法在电解过程中，其电源采用的是脉冲电源，该脉冲电源的脉冲频率为900～1200Hz，占空比为40～80％，平均电流密度为380～420A/m2。在电解过程中，所用的阳极板为带有若干凹坑的电极板，这些凹坑的直径为0.5～2.5mm，各凹坑之间的中心距为2～9mm，各凹坑的深度为0.5～2.5mm。本发明能提高电流效率，验证表明：其电流效率由现有的不到75％，提高到了80.0％以上。本发明能减少阳极区的阳极泥产生量，从而可延长阳极板的使用时间，减少清槽次数，能取得节能降耗的有益效果、其电解金属锰的成本自然就大大降低。
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