公开(公告)号：CN106749897A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201710025931.0

申请日：2017-01-13

Applicant: 重庆大学

Inventor： 李伟 ,  郑怀礼 ,  赵传靓 ,  丁俊文 ,  郝偲言

IPC: C08F220/56 ,  C08F226/02 ,  C08F2/48 ,  C08F2/01

CPC classification number: C08F220/56 ,  C08F2/01 ,  C08F2/48 ,  C08F226/02

Abstract: 本发明公开了一种P（AM‑DMDAAC）的合成方法，该方法以AM单体、DMDAAC单体和作为模板的PAAS，在低压紫外光的作用下引发聚合反应来合成 P（AM‑DMDAAC）。具有合成效果好、安全性高等优点。