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公开(公告)号：CN101198859B
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN200680021931.3
申请日：2006-06-20
Applicant: 郡是株式会社
IPC: G01N21/892 , G01B11/02
CPC classification number: G01N21/892
Abstract: 【解决问题】本发明提供检查在膜的制造时发生的缺陷点，并可有效地利用检查后的数据的检查装置和检查方法。【解决方法】膜检查装置(10)具备：具有光源和多个受光部排列成的传感器，且用来扫描膜的照相机(12)；将扫描所得到的电荷信号变换为电压信号并根据电压信号分析膜的不良部分的分析单元(14)；存储用于区别膜的不良部分的大小的多个大小阈值的存储单元(16)；以及将所分析的电压信号与多个大小阈值进行比较，求出电压信号与哪个大小阈值相一致的比较器(18)。
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公开(公告)号：CN101198859A
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200680021931.3
申请日：2006-06-20
Applicant: 郡是株式会社
IPC: G01N21/892 , G01B11/02
CPC classification number: G01N21/892
Abstract: 解决问题：本发明提供检查在膜的制造时发生的缺陷点，并可有效地利用检查后的数据的检查装置和检查方法。解决方法：膜检查装置(10)具备：具有光源和多个受光部排列成的传感器，且用来扫描膜的照相机(12)；将扫描所得到的电荷信号变换为电压信号并根据电压信号分析膜的不良部分的分析单元(14)；存储用于区别膜的不良部分的大小的多个大小阈值的存储单元(16)；以及将所分析的电压信号与多个大小阈值进行比较，求出电压信号与哪个大小阈值相一致的比较器(18)。
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公开(公告)号：CN101416282B
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200780011855.2
申请日：2007-04-02
Applicant: 郡是株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/683
CPC classification number: H01L21/304 , B32B27/32 , C09J7/243 , C09J7/29 , C09J2201/162 , C09J2201/622 , C09J2203/326 , C09J2205/114 , C09J2423/046 , C09J2431/006 , C09J2433/006 , H01L21/67132 , H01L21/6836 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , Y10T428/24355
Abstract: 本发明提供一种半导体晶片背磨工艺过程中所用的表面保护带，以及一种用于所述表面保护带的基材膜，所述表面保护带具有均一的厚度精度，优异的表面平整性，优异的表面滑动(surface sliding)性而没有粘连等。特别地，提供一种用于半导体晶片表面保护带的基材膜，所述基材膜的特征在于具有至少一个含基于聚乙烯的树脂的层，并且满足下述条件：(1)所述基材膜的两个表面根据JIS B0601测得的表面粗糙度Ra都不大于0.8μm，并且至少一个表面的表面粗糙度Ra不小于0.05μm；以及(2)所述基材膜的最大厚度与最小厚度之差不大于4μm。特别地，本发明还提供了一种包含所述基材膜和粘合剂层的半导体晶片表面保护带。
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公开(公告)号：CN101416282A
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200780011855.2
申请日：2007-04-02
Applicant: 郡是株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/683
CPC classification number: H01L21/304 , B32B27/32 , C09J7/243 , C09J7/29 , C09J2201/162 , C09J2201/622 , C09J2203/326 , C09J2205/114 , C09J2423/046 , C09J2431/006 , C09J2433/006 , H01L21/67132 , H01L21/6836 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , Y10T428/24355
Abstract: 本发明提供一种半导体晶片背磨工艺过程中所用的表面保护带，以及一种用于所述表面保护带的基材膜，所述表面保护带具有均一的厚度精度，优异的表面平整性，优异的表面滑动(surface sliding)性而没有粘连等。特别地，提供一种用于半导体晶片表面保护带的基材膜，所述基材膜的特征在于具有至少一个含基于聚乙烯的树脂的层，并且满足下述条件：(1)所述基材膜的两个表面根据JIS B0601测得的表面粗糙度Ra都不大于0.8μm，并且至少一个表面的表面粗糙度Ra不小于0.05μm；以及(2)所述基材膜的最大厚度与最小厚度之差不大于4μm。特别地，本发明还提供了一种包含所述基材膜和粘合剂层的半导体晶片表面保护带。
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