一种含硫的萘二酰亚胺衍生物及其制备方法、应用

    公开(公告)号:CN110143969A

    公开(公告)日:2019-08-20

    申请号:CN201910334303.X

    申请日:2019-04-24

    Abstract: 本发明涉及一种含硫的萘二酰亚胺衍生物及其制备方法、应用,属于有机半导体技术领域。本发明的含硫的萘二酰亚胺衍生物,具有如下式(Ⅰ)所示的结构。其中,R1和R2为苯基;R3、R4、R5、R6分别独立地选自碳原子数为1-20的烷基。本发明的含硫的萘二酰亚胺衍生物,在萘环的2,3,6,7位引入了杂原子官能团(S),并引入苯基基团,使得萘二酰亚胺衍生物分子的光谱吸收和HOMO、LUMO值能够被杂原子官能团来调节,从而适应各种功能材料的需求。

    富硫二联萘二酰亚胺衍生物及其制备方法、应用

    公开(公告)号:CN110143970A

    公开(公告)日:2019-08-20

    申请号:CN201910335031.5

    申请日:2019-04-24

    Abstract: 本发明涉及一种富硫二联萘二酰亚胺衍生物及其制备方法、应用,属于有机半导体技术领域。本发明的富硫二联萘二酰亚胺衍生物即含硫萘二酰亚胺衍生物,具有如下式(Ⅰ)所示的结构。其中,R1和R2为含氰基的基团;R3、R4、R5、R6分别独立地选自碳原子数为1-20的烷基。本发明的含硫萘二酰亚胺衍生物,在萘环的2,3,6,7位引入了杂原子官能团(S),并引入了氰基基团,使得萘二酰亚胺衍生物分子的光谱吸收和HOMO、LUMO值能够被杂原子官能团来调节,从而适应各种功能材料的需求。

    富硫二联萘二酰亚胺衍生物及其制备方法、应用

    公开(公告)号:CN110143970B

    公开(公告)日:2020-12-08

    申请号:CN201910335031.5

    申请日:2019-04-24

    Abstract: 本发明涉及一种富硫二联萘二酰亚胺衍生物及其制备方法、应用,属于有机半导体技术领域。本发明的富硫二联萘二酰亚胺衍生物即含硫萘二酰亚胺衍生物,具有如下式(Ⅰ)所示的结构。其中,R1和R2为含氰基的基团;R3、R4、R5、R6分别独立地选自碳原子数为1‑20的烷基。本发明的含硫萘二酰亚胺衍生物,在萘环的2,3,6,7位引入了杂原子官能团(S),并引入了氰基基团,使得萘二酰亚胺衍生物分子的光谱吸收和HOMO、LUMO值能够被杂原子官能团来调节,从而适应各种功能材料的需求。

Patent Agency Ranking