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公开(公告)号:CN1873848A
公开(公告)日:2006-12-06
申请号:CN200610092416.6
申请日:2006-05-25
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: H01F6/04 , F25B9/10 , F25D3/00 , F25D19/00 , F25D19/006 , G01R33/3815
Abstract: 一种用于超导磁体的热屏蔽包括环形的屏蔽体。该屏蔽体包括大约在70K时热传导性大于约1000W/m·K的材料。
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公开(公告)号:CN102090891A
公开(公告)日:2011-06-15
申请号:CN201010604219.4
申请日:2010-12-15
Applicant: 通用电气公司
IPC: A61B5/055 , G01R33/385
CPC classification number: G01R33/385 , G01R33/3856 , G01R33/4215
Abstract: 本发明涉及用于磁共振成像系统的平直化梯度线圈。具体而言,披露了包括主线圈(12)的梯度线圈(10)。主线圈(12)包括上侧主线圈部分(24)与下侧主线圈部分(26),下侧主线圈部分(26)在横截面上比上侧主线圈部分(24)的弯曲度更小。梯度线圈(10)还包括设置在主线圈(12)外侧的屏蔽线圈(14)。屏蔽线圈(14)包括上侧屏蔽线圈部分(42)与下侧屏蔽线圈部分(44),下侧屏蔽线圈部分(44)在横截面上比上侧屏蔽线圈部分(42)的弯曲度更小。
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公开(公告)号:CN102456461B
公开(公告)日:2017-05-24
申请号:CN201110344835.5
申请日:2011-10-28
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01F6/06 , H01F6/04 , G01R33/3815
CPC classification number: G01R33/3815 , H01F6/04
Abstract: 本发明名称为“带有冷却的超导励磁线圈支承体以及用于线圈冷却的方法”。提供一种带有冷却的超导励磁线圈支承体以及用于线圈冷却的方法。一种超导线圈支承布置包括:超导线圈和至少一个支承柱,该至少一个支承柱支承超导线圈并限定用于在其中存储冷却流体的罐。该超导线圈支承布置还包括:耦合到超导线圈并连接到至少一个支承柱的多个冷却管,其中多个冷却管配置成经其传递冷却流体。
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公开(公告)号:CN102456461A
公开(公告)日:2012-05-16
申请号:CN201110344835.5
申请日:2011-10-28
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01F6/06 , H01F6/04 , G01R33/3815
CPC classification number: G01R33/3815 , H01F6/04
Abstract: 本发明名称为“带有冷却的超导励磁线圈支承体以及用于线圈冷却的方法”。提供一种带有冷却的超导励磁线圈支承体以及用于线圈冷却的方法。一种超导线圈支承布置包括:超导线圈和至少一个支承柱,该至少一个支承柱支承超导线圈并限定用于在其中存储冷却流体的罐。该超导线圈支承布置还包括:耦合到超导线圈并连接到至少一个支承柱的多个冷却管,其中多个冷却管配置成经其传递冷却流体。
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公开(公告)号:CN102090891B
公开(公告)日:2013-12-18
申请号:CN201010604219.4
申请日:2010-12-15
Applicant: 通用电气公司
IPC: A61B5/055 , G01R33/385
CPC classification number: G01R33/385 , G01R33/3856 , G01R33/4215
Abstract: 本发明涉及用于磁共振成像系统的平直化梯度线圈。具体而言,披露了包括主线圈(12)的梯度线圈(10)。主线圈(12)包括上侧主线圈部分(24)与下侧主线圈部分(26),下侧主线圈部分(26)在横截面上比上侧主线圈部分(24)的弯曲度更小。梯度线圈(10)还包括设置在主线圈(12)外侧的屏蔽线圈(14)。屏蔽线圈(14)包括上侧屏蔽线圈部分(42)与下侧屏蔽线圈部分(44),下侧屏蔽线圈部分(44)在横截面上比上侧屏蔽线圈部分(42)的弯曲度更小。
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公开(公告)号:CN1873848B
公开(公告)日:2011-12-28
申请号:CN200610092416.6
申请日:2006-05-25
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: H01F6/04 , F25B9/10 , F25D3/00 , F25D19/00 , F25D19/006 , G01R33/3815
Abstract: 一种用于超导磁体的热屏蔽包括环形的屏蔽体。该屏蔽体包括大约在70K时热传导性大于约1000W/m·K的材料。
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