具有分隔屏蔽的同位素产生系统

    公开(公告)号:CN102484941B

    公开(公告)日:2014-12-24

    申请号:CN201080038292.8

    申请日:2010-06-03

    IPC分类号: H05H6/00 H05H13/00 G21G1/10

    CPC分类号: H05H6/00 G21G1/10 H05H13/00

    摘要: 一种同位素产生系统,包括具有围绕加速室的磁轭的回旋加速器。回旋加速器配置成定向来自加速室的粒子束通过磁轭。同位素产生系统还包括在磁轭附近定位的靶系统。靶系统配置成保持靶材料,并且包括在磁轭与靶位置之间延伸的辐射屏蔽。辐射屏蔽的大小和形状配置成衰减从靶材料朝向磁轭发射的伽马射线和/或中子。同位素产生系统还包括从加速室延伸到靶位置的束通道。束通道至少部分由磁轭以及靶系统的辐射屏蔽形成。

    同位素生产系统和回旋加速器

    公开(公告)号:CN102422724B

    公开(公告)日:2015-08-19

    申请号:CN201080020362.7

    申请日:2010-03-22

    IPC分类号: H05H13/00

    CPC分类号: H05H13/00

    摘要: 一种回旋加速器,其包括磁轭,该磁轭具有围绕加速室的轭体。该回旋加速器还包括磁体组件以产生磁场以沿期望路径引导充电粒子。该磁体组件位于加速室中。磁场经加速室并在磁轭内传播,其中磁场的一部分作为杂散场逸出磁轭之外。该回旋加速器还包括与轭体直接联接的真空泵。该真空泵构造成将真空导入加速室。该磁轭尺寸设置为使得真空泵不会经受超过75高斯的磁场。

    同位素生产系统和回旋加速器

    公开(公告)号:CN102422724A

    公开(公告)日:2012-04-18

    申请号:CN201080020362.7

    申请日:2010-03-22

    IPC分类号: H05H13/00

    CPC分类号: H05H13/00

    摘要: 一种回旋加速器,其包括磁轭,该磁轭具有围绕加速室的轭体。该回旋加速器还包括磁体组件以产生磁场以沿期望路径引导充电粒子。该磁体组件位于加速室中。磁场经加速室并在磁轭内传播,其中磁场的一部分作为杂散场逸出磁轭之外。该回旋加速器还包括与轭体直接联接的真空泵。该真空泵构造成将真空导入加速室。该磁轭尺寸设置为使得真空泵不会经受超过75高斯的磁场。

    同位素产生系统和具有减少的杂散磁场的回旋加速器

    公开(公告)号:CN102461346B

    公开(公告)日:2014-03-05

    申请号:CN201080031037.0

    申请日:2010-03-25

    IPC分类号: H05H13/00

    CPC分类号: H05H13/00 Y10T29/49002

    摘要: 一种回旋加速器,其包括磁轭和磁体组件,该磁轭具有环绕加速室的轭体。该磁体组件配置成产生磁场来沿着期望的路径引导带电粒子。该磁体组件位于该加速室中。磁场传播通过该加速室并且在该磁轭内。磁场的一部分逃到该磁轭的外部作为杂散场。该磁轭尺寸适于使得杂散场在离外部边界1米的距离处不超出5高斯。

    具有分隔屏蔽的同位素产生系统

    公开(公告)号:CN102484941A

    公开(公告)日:2012-05-30

    申请号:CN201080038292.8

    申请日:2010-06-03

    IPC分类号: H05H6/00 H05H13/00 G21G1/10

    CPC分类号: H05H6/00 G21G1/10 H05H13/00

    摘要: 一种同位素产生系统,包括具有围绕加速室的磁轭的回旋加速器。回旋加速器配置成定向来自加速室的粒子束通过磁轭。同位素产生系统还包括在磁轭附近定位的靶系统。靶系统配置成保持靶材料,并且包括在磁轭与靶位置之间延伸的辐射屏蔽。辐射屏蔽的大小和形状配置成衰减从靶材料朝向磁轭发射的伽马射线和/或中子。同位素产生系统还包括从加速室延伸到靶位置的束通道。束通道至少部分由磁轭以及靶系统的辐射屏蔽形成。

    同位素产生系统和具有减少的杂散磁场的回旋加速器

    公开(公告)号:CN102461346A

    公开(公告)日:2012-05-16

    申请号:CN201080031037.0

    申请日:2010-03-25

    IPC分类号: H05H13/00

    CPC分类号: H05H13/00 Y10T29/49002

    摘要: 一种回旋加速器,其包括磁轭和磁体组件,该磁轭具有环绕加速室的轭体。该磁体组件配置成产生磁场来沿着期望的路径引导带电粒子。该磁体组件位于该加速室中。磁场传播通过该加速室并且在该磁轭内。磁场的一部分逃到该磁轭的外部作为杂散场。该磁轭尺寸适于使得杂散场在离外部边界1米的距离处不超出5高斯。