公开(公告)号：CN1795824A

公开(公告)日：2006-07-05

申请号：CN200510133887.2

申请日：2005-12-22

Applicant: 通用电气公司

Inventor： D·阿尔巴格利 ,  W·A·亨尼西 ,  A·J·库图尔 ,  C·科拉佐-达维拉

IPC: A61B6/00 ,  G01N23/04 ,  G01T1/00 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/41733 ,  H01L27/12 ,  H01L27/14658 ,  H01L29/78618

Abstract: 一种环形薄膜晶体管60，包括：布置在半导体材料层66之上的环形源电极62；在环形源电极62内布置在半导体材料层66之上的漏电极64；以及位于漏电极64和环形源电极64之间的有源沟道76，其中有源沟道76的一个表面包括暴露的半导体材料。而且，一种蛇形薄膜晶体管78，包括：布置在半导体材料层82之上的蛇形源电极80；布置在半导体材料层82上和基本位于由蛇形源电极80形成的凹槽之中的漏电极84，其中漏电极84基本符合该凹槽；以及位于漏电极84和蛇形源电极80之间的有源沟道98，其中有源沟道98具有基本恒定的长度，其中有源沟道98的一个表面包括暴露的半导体材料。