公开(公告)号：CN1131176A

公开(公告)日：1996-09-18

申请号：CN95120458.0

申请日：1995-12-29

Applicant: 通用电气公司

Inventor： A·M·施里瓦斯塔瓦 ,  W·W·比尔斯

IPC: C09K11/77 ,  H01J61/42

CPC classification number: C04B35/44 ,  C04B35/01 ,  C09K11/7706 ,  C09K11/778

Abstract: 就VUV照射下使用量子裂变氧化物荧光物质进行描述。一种具有原子比的氧化物材料，包括：La1-xPrxMgB5O10；此处0＜X≤0.20。另一种具有原子比的氧化物材料，包括：Sr1-xPrxAl12-xMgxO19，此处0＜X≤0.20。两种材料均是稳定的并适合用作由Hg蒸汽释放而产生的VUV照射的荧光物质。

公开(公告)号：CN1094966C

公开(公告)日：2002-11-27

申请号：CN95120458.0

申请日：1995-12-29

Applicant: 通用电气公司

Inventor： A·M·施里瓦斯塔瓦 ,  W·W·比尔斯

IPC: C09K11/77 ,  H01J61/42

CPC classification number: C04B35/44 ,  C04B35/01 ,  C09K11/7706 ,  C09K11/778

Abstract: 就VUV照射下使用量子裂变氧化物荧光物质进行描述。一种具有原子比的氧化物材料，包括：La1-xPrxMgB5O10；此处0＜X≤0.20。另一种具有原子比的氧化物材料，包括：Sr1-xPrxAl12-xMgxO19，此处0＜X≤0.20。两种材料均是稳定的并适合用作由Hg蒸汽释放而产生的VUV照射的荧光物质。