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公开(公告)号：CN105861112A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201510769570.1
申请日：2015-11-12
Applicant: 达兴材料股份有限公司
IPC: C10M129/08 , C10M177/00
Abstract: 本发明提供一种切割工艺用的水性切割液的添加剂，包括一种二醇类化合物具有以下通式:OHR1R3C-[CH2]n-CR2R4OH，其中，n为2-4间的自然数，R1、R2、R3、R4分别为碳数1-6的烷基取代基；以及水。
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公开(公告)号：CN104278274A
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201410321867.7
申请日：2014-07-08
Applicant: 达兴材料股份有限公司
Abstract: 一种用于蚀刻铜与钼的金属蚀刻剂组合物，其包含过氧化氢及一种有机酸组分；该有机酸组分包含丁二酸及乙酸；其中，丁二酸与乙酸的重量比例范围为1：1.2～1：3。该金属蚀刻剂组合物在进行含有铜与钼的多层金属蚀刻时，能得到具有良好配线形状与均匀性的金属层，并有效避免底切现象产生。本发明还提供一种用于蚀刻铜与钼的金属蚀刻方法，其包括将如上所述的金属蚀刻剂组合物与一种多层金属薄膜接触，使该多层金属薄膜产生蚀刻，其中，该多层金属薄膜包括一个钼层及一个堆叠于该钼层上的铜层。
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公开(公告)号：CN102719330A
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201210064009.X
申请日：2012-03-07
Applicant: 达兴材料股份有限公司
Abstract: 本发明是有关于一种适用于清洗硅晶片的洗剂及用于清洗一硅晶片的方法。其中该适用于清洗硅晶片的洗剂包含碱金属氢氧化物、磷酸三钠、阴离子型界面活性剂及水。该用于清洗一硅晶片的方法是使该硅晶片与上述的适用于清洗硅晶片的洗剂进行接触而完成。本发明的洗剂不但可修补切割后的晶片表面的损伤，使用时可维持稳定的pH值范围，且能在长时间使用下维持高度清洗能力。
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公开(公告)号：CN112130428A
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN202010965226.0
申请日：2014-11-07
Applicant: 达兴材料股份有限公司
IPC: G03F7/42
Abstract: 一种光阻脱除剂，包括由式1表示的醇醚类化合物、选自式2表示的化合物、式3表示的化合物及其混合物的极性溶剂以及至少一种由式4表示的仲醇胺或叔醇胺，其中n为1～3的整数；R1为C1‑C4烷基；R2各自独立为氢或甲基；X1和X2可分别为C1‑C4亚烷基、C2‑C4亚烯基、>Rx‑COOH或>RyOH，其中Rx为C1‑C3连结基，Ry为C1‑C4连结基；R3为H、C1‑C4烷基或‑RzOH，其中Rz为C1‑C4连结基；R4和R5分别为C1‑C4亚烷基，且Y1和Y2可分别为H或‑OH，且R3、Y1和Y2中的至少一者含有‑OH。
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公开(公告)号：CN110396371A
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201910332739.5
申请日：2019-04-24
Applicant: 达兴材料股份有限公司
IPC: C09J5/00 , C09J179/08 , C09J11/04 , C09J11/06 , C09J7/10
Abstract: 一种暂时粘着被加工物的方法，包含以下步骤。进行结合步骤，在至少一个基板和/或至少一个被加工物的表面形成粘着层。进行粘着步骤，使基板与被加工物通过粘着层粘着接合。进行加工步骤，对被加工物进行加工。进行剥离步骤，以激光照射粘着层，使被加工物与基板分离。粘着层由粘着剂所形成，粘着剂包含聚合物以及遮色材，粘着剂的固成分中包含50重量百分比至98重量百分比的聚合物，粘着剂的固成分中包含2重量百分比至50重量百分比的遮色材。藉此，有利于提升粘着剂的粘着性、耐热性及可移除性。
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公开(公告)号：CN107799427A
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201710785260.8
申请日：2017-09-04
Applicant: 达兴材料股份有限公司
IPC: H01L21/56
Abstract: 公开一种光电元件的制备方法，其包括：(a)于承载材上形成一层高分子层，该高分子层是以一种于光线照射下会产生降解的材料为主；(b)于高分子层上形成光电元件；(c)对该高分子层施加光线照射，以使高分子层产生降解，并使承载材与光电元件分离；及(d)利用清洗组合物清洗承载材或光电元件，清洗组合物包含由化学式1所示的链状碳酸酯、及汉森溶解度参数范围为9～15(cal/cm3)1/2的有机溶剂。本发明光电元件的制备方法通过使用该清洗组合物，能使该高分子层不会残留于该光电元件或该承载材上，也有助于回收该承载材。
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公开(公告)号：CN104611700A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201410571102.9
申请日：2014-10-23
Applicant: 达兴材料股份有限公司
Abstract: 一种蚀刻液组合物，用于蚀刻含铜及含钼的多层薄膜，蚀刻液组合物包含过氧化氢、第一有机酸或其盐类、第二有机酸或其盐类以及醇胺化合物。第一有机酸与铜的螯合常数大于、等于0且小于6，基于蚀刻液组合物为100重量百分比，第一有机酸添加比例为5.5重量百分比至17.5重量百分比。第二有机酸与铜的螯合常数大于、等于6且小于18.5。醇胺化合物具有一个以上的胺基与一个以上的羟基。藉此蚀刻液组合物蚀刻前述含铜及含钼的多层薄膜，有助于减少金属残留。
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公开(公告)号：CN103936989A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201310122597.2
申请日：2013-04-10
Applicant: 达兴材料股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种聚亚酰胺结构以及聚亚酰胺树脂组成物，该聚亚酰胺结构包括如式1、式2以及式3所表示的结构单元。-R1-(式1)上述如式1、式2以及式3所表示的结构单元之间的键结选自由式4至式9所表示的结构单元及其任意组合所组成的族群，其中，R1以及R3各自独立为二价有机基；R2为三价有机基；R4为具有4个或4个以上原子的四价有机基；a为1至100；R1以及R2的重量比为950/50至999/1；R5至R13各自独立为二价有机基；b至i各自独立为1至100。
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公开(公告)号：CN105861112B
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN201510769570.1
申请日：2015-11-12
Applicant: 达兴材料股份有限公司
IPC: C10M129/08 , C10M177/00
Abstract: 本发明提供一种切割工艺用的水性切割液的添加剂，包括一种二醇类化合物具有以下通式:OHR1R3C‑[CH2]n‑CR2R4OH，其中，n为2‑4间的自然数，R1、R2、R3、R4分别为碳数1‑6的烷基取代基；以及水。
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公开(公告)号：CN103320201B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201310080924.2
申请日：2013-03-14
Applicant: 达兴材料股份有限公司
IPC: C10M169/04 , C10M135/34 , C10M129/70 , C10M129/84
Abstract: 一种用于切削硬脆材料的加工组成物，包含至少一种杂环化合物、至少一种多元醇及水，该杂环化合物是由下式(I)所示，式(I)中各个代号的定义如说明书及权利要求所界定。本发明用于切削硬脆材料的加工组成物由于包含该杂环化合物，具备能有效提升该加工组成物的保湿性的能力。
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