公开(公告)号：CN108855193A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201810812044.2

申请日：2018-07-23

Applicant: 辽宁大学

Inventor： 夏立新 ,  李思远 ,  李娜 ,  蒋文超 ,  姜毅

IPC: B01J27/24 ,  C01B3/04

Abstract: 本发明涉及TaN/BiVO4异质结复合材料及其制备方法和应用。TaN/BiVO4异质结复合材料是采用浸渍的方法将氮化钽负载在钒酸铋上形成的异质结构的复合材料。本发明改善了单独半导体在光激发电子后，其电子和空穴再结合速率快的缺点，制备了一种TaN/BiVO4异质结复合材料，间接地加快了电荷与空穴的分离效率，进一步地提高了光激发的电子利用率，提高了光电催化效率。本发明通过修饰半导体，实现高效光电分解水。

公开(公告)号：CN108686645A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201810498534.X

申请日：2018-05-23

Applicant: 辽宁大学

Inventor： 姜毅 ,  蒋文超 ,  夏立新 ,  张谦 ,  佟静

IPC: B01J23/22 ,  B01J37/02 ,  B01J37/08 ,  B01J37/34 ,  C01B3/04

CPC classification number: B01J23/22 ,  B01J35/004 ,  B01J37/0201 ,  B01J37/08 ,  B01J37/343 ,  B01J37/348 ,  C01B3/042 ,  C01B2203/0277 ,  C01B2203/1041 ,  C01B2203/1082

Abstract: 本发明涉及一种TiO2/BiVO4异质结复合材料的制备方法和应用。于含有硝酸铋、碘化钾和对苯醌的电沉积溶液中，采用三电极体系，在FTO上沉积BiOI膜，于BiOI膜上均匀滴加乙酰丙酮氧矾的DMSO溶液后，于450℃保温2h，冷却至室温后，放入无机碱溶液中浸泡30min；将得到的钒酸铋基底浸入二氧化钛水溶胶中，60℃保持30‑60min后，在500℃煅烧2h，得TiO2/BiVO4异质结。本发明制备方法简单，采用浸渍的方法，将纳米球状的二氧化钛负载在多孔的钒酸铋上，通过高温煅烧，形成二氧化钛钒酸铋异质结。不仅提高了半导体对光解水的催化活性，而且对于制备其他半导体异质结提供了一种思路。

公开(公告)号：CN108855193B

公开(公告)日：2021-04-13

申请号：CN201810812044.2

申请日：2018-07-23

Applicant: 辽宁大学

Inventor： 夏立新 ,  李思远 ,  李娜 ,  蒋文超 ,  姜毅

IPC: B01J27/24 ,  C01B3/04

Abstract: 本发明涉及TaN/BiVO4异质结复合材料及其制备方法和应用。TaN/BiVO4异质结复合材料是采用浸渍的方法将氮化钽负载在钒酸铋上形成的异质结构的复合材料。本发明改善了单独半导体在光激发电子后，其电子和空穴再结合速率快的缺点，制备了一种TaN/BiVO4异质结复合材料，间接地加快了电荷与空穴的分离效率，进一步地提高了光激发的电子利用率，提高了光电催化效率。本发明通过修饰半导体，实现高效光电分解水。