非接触硅基光电器件少数载流子寿命检测仪及检测方法

    公开(公告)号:CN106199368B

    公开(公告)日:2022-11-25

    申请号:CN201610537029.2

    申请日:2016-07-08

    Abstract: 本发明涉及一种非接触硅基光电器件少数载流子寿命检测仪及检测方法,包括放置台、光源、探测器、信号放大器、锁相放大器、处理控制单元、函数发生器,函数发生器与电光源连接,当硅基光电器件放置于放置台上时,硅基光电器件位于光源与探测器之间。光源激发硅基光电器件发荧光,通过探测器多点探测接收硅基光电器件另一侧的荧光并转为电信号,通过信号放大器、锁相放大器得到荧光的幅值及荧光与光源的相位差,处理控制单元计算输出少数载流子寿命分布图。在更换不同规格的硅基光电器件时不需要进行校准,将硅基光电器件置于光源与探测器之间,减少光源对检测的影响,提高测量的准确性,通过多点式的探测,方便得到少数载流子寿命的分布图。

    非接触硅基光电器件少数载流子寿命检测仪及检测方法

    公开(公告)号:CN106199368A

    公开(公告)日:2016-12-07

    申请号:CN201610537029.2

    申请日:2016-07-08

    CPC classification number: G01R31/2601

    Abstract: 本发明涉及一种非接触硅基光电器件少数载流子寿命检测仪及检测方法,包括放置台、光源、探测器、信号放大器、锁相放大器、处理控制单元、函数发生器,函数发生器与电光源连接,当硅基光电器件放置于放置台上时,硅基光电器件位于光源与探测器之间。光源激发硅基光电器件发荧光,通过探测器多点探测接收硅基光电器件另一侧的荧光并转为电信号,通过信号放大器、锁相放大器得到荧光的幅值及荧光与光源的相位差,处理控制单元计算输出少数载流子寿命分布图。在更换不同规格的硅基光电器件时不需要进行校准,将硅基光电器件置于光源与探测器之间,减少光源对检测的影响,提高测量的准确性,通过多点式的探测,方便得到少数载流子寿命的分布图。

    非接触硅基光电器件少数载流子寿命检测仪

    公开(公告)号:CN205826809U

    公开(公告)日:2016-12-21

    申请号:CN201620719319.4

    申请日:2016-07-08

    Abstract: 本实用新型涉及一种非接触硅基光电器件少数载流子寿命检测仪,包括用于放置台、光源、探测器、信号放大器、锁相放大器、处理控制单元、函数发生器,函数发生器与电光源连接,当硅基光电器件放置于所述放置台上时,硅基光电器件位于所述的光源与探测器之间。通过探测得到的幅值以及探测得到的相位与原来的相位进行对比得到相位差,并通过相应的计算公式计算得出少数载流子寿命参数,在更换不同规格的硅基光电器件时不需要进行校准即可直接使用,将硅基光电器件置于光源与探测器之间,能够很好的减少光源对检测的影响,提高测量的准确性,通过多点式的探测,很容易得到少数载流子寿命的分布图,进而判断硅基光电器件的生产质量,提高检测的效率。

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