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公开(公告)号：CN108560035A
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201810015175.8
申请日：2018-01-08
Applicant: 电子科技大学 , 赣州市德普特科技有限公司
Abstract: 一种低成本制备ZnO&TiO2异质结薄膜的方法，属于异质结薄膜制备技术领域。本发明以TiO2纳米管阵列为基底，通过浸泡的方式使醋酸锌前驱液进入纳米管内部，再经热处理使醋酸锌在纳米管内原位热分解，并以TiO2纳米管为模板在管壁内外形成ZnO&TiO2异质结。本发明方法操作简单，成本低，可实现大规模工业化生产，得到的异质结的光催化性能相对于TiO2纳米管阵列薄膜有显著地增强。
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公开(公告)号：CN108179455A
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201810015642.7
申请日：2018-01-08
Applicant: 电子科技大学 , 赣州市德普特科技有限公司
CPC classification number: C25D11/26 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C23C18/1216 , C23C18/1245
Abstract: 一种Cu2O纳米颗粒/TiO2纳米管阵列复合异质结薄膜的制备方法，属于半导体纳米结构的制备技术领域。首先，采用阳极氧化法制备出高度有序、致密排列的二氧化钛纳米管阵列，然后通过浸泡的方式使乙酸铜前驱液进入纳米管内部，最后通过热处理使前驱体分解，得到p型Cu2O纳米颗粒并装载于纳米管管壁，形成了具有可见光响应的Cu2O纳米颗粒/TiO2纳米管阵列异质结薄膜。本发明方法简单、成本低、重复性好、可大规模生产等优点，得到的异质结在光催化、传感器和太阳能电池方面有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN108149300B
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201810016226.9
申请日：2018-01-08
Applicant: 电子科技大学 , 赣州市德普特科技有限公司
Abstract: 一种CeO2纳米颗粒/TiO2纳米管阵列复合异质结薄膜的制备方法，属于异质结薄膜制备技术领域。本发明首先采用电化学阳极氧化法制备高度有序、致密排列的二氧化钛纳米管阵列，然后将铈盐前驱液通过浸泡的方式进入纳米管阵列内，最后通过热处理，铈盐受热分解为CeO2纳米颗粒并附着于TiO2纳米管的管壁上，得到了具有良好形貌的复合异质结薄膜；该方法操作简便，成本低，重复性好，有利于实现大规模工业化生产。
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公开(公告)号：CN109126785A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201811008100.3
申请日：2018-08-31
Applicant: 电子科技大学 , 赣州市德普特科技有限公司
IPC: B01J23/52 , B01J37/16 , C25D11/26 , C02F1/30 , C02F101/30
CPC classification number: B01J23/52 , B01J35/0013 , B01J35/004 , B01J35/006 , B01J35/0093 , B01J35/065 , B01J37/16 , C02F1/30 , C02F2101/308 , C02F2305/10 , C25D11/26
Abstract: 一种金纳米颗粒/二氧化钛纳米管阵列复合异质结薄膜的制备方法，属于金‑半导体纳米材料制备技术领域。本发明在阳极氧化法制得的TiO2纳米管阵列薄膜的基础上，采用浸没装载技术，将粒径高度均匀的金纳米颗粒装载于TiO2纳米管阵列上，形成金‑半复合半导体异质结薄膜。本发明将一维TiO2纳米管阵列的物理化学稳定的优点和具有全光谱光催化活性的Au NPs的特性有机结合，得到的复合异质结薄膜在光催化、传感器和太阳能电池方面有着广泛的应用前景；同时该方法成本低，重复性好，工艺简单，可实现大规模工业化生产。
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公开(公告)号：CN109714015A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201811618035.6
申请日：2018-12-28
Applicant: 电子科技大学 , 赣州市德普特科技有限公司
Abstract: 一种基于磁介复合材料的叠层低通滤波器，属于材料与器件技术领域。包括电感，以及位于电感正上方和正下方的电容，所述电感为由多层带线圈的基体材料组成的螺旋线圈，相邻层线圈采用金属通孔连接，所述电容由多层带“十”字形金属层的基体材料组成，其特征在于，所述基体材料为磁介复合材料。本发明通过将磁性与介电材料复合，得到一种介电常数和磁导率接近、同时具有低损耗的新型磁介复合陶瓷材料；并基于此提供了叠层低通滤波器，为LTCC元器件的小型化、集成化提供了一种有效解决方案。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107134614A
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201710312999.7
申请日：2017-05-05
Applicant: 电子科技大学 , 赣州市德普特科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种多层陶瓷微波带通滤波器，属于微波功能器件技术领域。本发明包括端电极及位于介质层中的两接地金属层，两接地金属层之间设有间隔排列于同一平面的四个UIR结构，四个UIR结构均为宽边耦合的多层带状线结构，通过设置第一加强耦合金属层增强第一级UIR结构与第四级UIR结构之间耦合，设置第二加强耦合金属层增强四个UIR结构之间耦合，第一级UIR结构和第四级UIR结构分别设有输入输出端以外接电路。本发明通过设计新型耦合结构，能够降低能量的损耗，进而降低通带内插入损耗，能够实现频率低，带内波动小，无寄生通带且带外抑制好的微型化微波滤波器。
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公开(公告)号：CN109714015B
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN201811618035.6
申请日：2018-12-28
Applicant: 电子科技大学 , 赣州市德普特科技有限公司
IPC: H03H7/01 , G06F30/367 , G06F113/26
Abstract: 一种基于磁介复合材料的叠层低通滤波器，属于材料与器件技术领域。包括电感，以及位于电感正上方和正下方的电容，所述电感为由多层带线圈的基体材料组成的螺旋线圈，相邻层线圈采用金属通孔连接，所述电容由多层带“十”字形金属层的基体材料组成，其特征在于，所述基体材料为磁介复合材料。本发明通过将磁性与介电材料复合，得到一种介电常数和磁导率接近、同时具有低损耗的新型磁介复合陶瓷材料；并基于此提供了叠层低通滤波器，为LTCC元器件的小型化、集成化提供了一种有效解决方案。
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公开(公告)号：CN111593375A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN202010411345.1
申请日：2020-05-15
Applicant: 电子科技大学 , 赣州市德普特科技有限公司
Abstract: 本发明属于电子电路电镀技术领域，具体提供一种用于电子电路电镀铜填孔的整平剂及电镀铜浴，所述整平剂为1-(4-羟苯基)-5-巯基-1H-四唑、5-巯基-1-(4-甲氧苯基)-1H-四唑、1-(4-乙氧苯基)-5-巯基-1H-四唑中的一种或多种。本发明中，整平剂具有在HDI板盲孔孔口处阻碍铜的电沉积，从而达到无空洞填充铜，其在溶液中含量—般较低，故对低电流密度区无太大的影响，在高电流密度区起抑制作用，使得原本起伏不平的表面变得更为平坦；同时，组合使用该整平剂、抑制剂和加速剂得到电镀铜浴，能够实现HDI微盲孔无缺陷电镀；因此，采用本发明所述整平剂及其电镀铜浴能够提高电子电路电镀铜浴稳定性及铜互连线品质，降低HDI铜互连制作的成本，提升生产效率。
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公开(公告)号：CN107134614B
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201710312999.7
申请日：2017-05-05
Applicant: 电子科技大学 , 赣州市德普特科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种多层陶瓷微波带通滤波器，属于微波功能器件技术领域。本发明包括端电极及位于介质层中的两接地金属层，两接地金属层之间设有间隔排列于同一平面的四个UIR结构，四个UIR结构均为宽边耦合的多层带状线结构，通过设置第一加强耦合金属层增强第一级UIR结构与第四级UIR结构之间耦合，设置第二加强耦合金属层增强四个UIR结构之间耦合，第一级UIR结构和第四级UIR结构分别设有输入输出端以外接电路。本发明通过设计新型耦合结构，能够降低能量的损耗，进而降低通带内插入损耗，能够实现频率低，带内波动小，无寄生通带且带外抑制好的微型化微波滤波器。
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公开(公告)号：CN107146947A
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201710313529.2
申请日：2017-05-05
Applicant: 电子科技大学 , 赣州市德普特科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种瞬态微带天线，属于微带天线技术领域。本发明包括：底面设有接地金属层的水溶性基底，水溶性基底顶面设有辐射贴片，其中水溶性基底是由聚乙烯醇与纳米二氧化碳形成的复合薄膜，辐射贴片材料为镁，接地金属层材料为铜。本发明瞬态天线的水溶性基底材料具有介电性能优异、质量轻、体积小且易于集成的优势；此外，基底的介电性能和降解速率可以通过调节纳米二氧化钛的填充量进行控制。本发明具有环境友好、成本低廉的优势，运用于安全电子器件、植入式可降解远程医疗器件、零废物消费电子器件等领域具有广阔前景。
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