公开(公告)号：CN102770755A

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN201080064775.5

申请日：2010-12-28

Applicant: 赢创德固赛有限公司

Inventor： E.米 ,  H.劳莱德 ,  R.阿门德 ,  M.哈杰杜克

IPC: G01N27/12

CPC classification number: G01N27/04 ,  G01N2033/0095

Abstract: 本发明涉及一种用于在采用测量电阻率的设备的条件下间接确定硅烷和锗烷的纯度的方法。本发明还涉及一种用于工业生产和/或充填硅烷或锗烷、包括质量检查的装置，在质量检查时采用了用于测量电阻率的设备。

公开(公告)号：CN107102030B

公开(公告)日：2019-12-10

申请号：CN201710124512.2

申请日：2010-12-28

Applicant: 赢创德固赛有限公司

Inventor： E.米 ,  H.劳莱德 ,  R.阿门德 ,  M.哈杰杜克

IPC: G01N27/04

Abstract: 本发明涉及将电阻率测量用于间接确定硅烷和锗烷的纯度和相应方法。本发明涉及一种用于在采用测量电阻率的设备的条件下间接确定硅烷和锗烷的纯度的方法。本发明还涉及一种用于工业生产和/或充填硅烷或锗烷、包括质量检查的装置，在质量检查时采用了用于测量电阻率的设备。

公开(公告)号：CN107102030A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201710124512.2

申请日：2010-12-28

Applicant: 赢创德固赛有限公司

Inventor： E.米 ,  H.劳莱德 ,  R.阿门德 ,  M.哈杰杜克

IPC: G01N27/04

Abstract: 本发明涉及将电阻率测量用于间接确定硅烷和锗烷的纯度和相应方法。本发明涉及一种用于在采用测量电阻率的设备的条件下间接确定硅烷和锗烷的纯度的方法。本发明还涉及一种用于工业生产和/或充填硅烷或锗烷、包括质量检查的装置，在质量检查时采用了用于测量电阻率的设备。