公开(公告)号：CN110047758A

公开(公告)日：2019-07-23

申请号：CN201910334722.3

申请日：2019-04-24

Applicant: 贵州芯长征科技有限公司

Inventor： 杨飞 ,  白玉明 ,  吴凯 ,  杜丽娜 ,  朱阳军

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明涉及一种低成本沟槽型功率半导体器件的制备工艺，其终端区的第二导电类型体区与衬底终端沟槽配合形成所需的终端区结构，而得到第二导电类型体区时不需要掩模版，与现有工艺相比，使得沟槽型功率半导体器件在正面结构制备时能少用一块掩模版，有效降低了功率半导体器件的制备成本。通过有源区内存在衬底第二导电类型基区，能实现对有源区内第二导电类型的掺杂浓度进行调节，保证了所制备得到功率半导体器件终端区的击穿特性以及有源区的导通特性，整个工艺过程与现有工艺兼容，安全可靠。

公开(公告)号：CN110047757A

公开(公告)日：2019-07-23

申请号：CN201910334710.0

申请日：2019-04-24

Applicant: 贵州芯长征科技有限公司

Inventor： 杨飞 ,  白玉明 ,  吴凯 ,  杜丽娜 ,  朱阳军

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明涉及一种低成本的沟槽型功率半导体器件的制备方法，其在半导体衬底的终端区设置衬底终端沟槽，终端区的第二导电类型体区与衬底终端沟槽配合形成所需的终端区结构，而得到第二导电类型体区时不需要掩模版，与现有工艺相比，使得沟槽型功率半导体器件在正面结构制备时能少用一块掩模版，有效降低了功率半导体器件的制备成本。利用有源区内存在的衬底第二导电类型基区，能实现对有源区内第二导电类型的掺杂浓度进行调节，保证了所制备得到功率半导体器件终端区的击穿特性以及有源区的导通特性，整个工艺过程与现有工艺兼容，安全可靠。

公开(公告)号：CN110071043A

公开(公告)日：2019-07-30

申请号：CN201910335673.5

申请日：2019-04-24

Applicant: 贵州芯长征科技有限公司

Inventor： 白玉明 ,  杨飞 ,  吴凯 ,  杜丽娜 ,  朱阳军

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及一种功率半导体器件的制备方法，其终端区的第二导电类型体区与衬底终端沟槽配合形成所需的终端区结构，而得到第二导电类型体区时不需要掩模版，与现有工艺相比，使得沟槽型功率半导体器件在正面结构制备时能少用一块掩模版，有效降低了功率半导体器件的制备成本。由于衬底阻挡层与元胞绝缘氧化层具有不同的刻蚀选择比，在去除衬底阻挡层时，避免对元胞绝缘氧化层过刻蚀，确保得到功率半导体器件的可靠性。有源区内存在衬底第二导电类型基区，保证了所制备得到功率半导体器件终端区的击穿特性以及有源区的导通特性，整个工艺过程与现有工艺兼容，安全可靠。