公开(公告)号：CN1120900C

公开(公告)日：2003-09-10

申请号：CN01128831.0

申请日：2001-09-07

Applicant: 贵州大学

Inventor： 傅兴华 ,  王殿生 ,  张正平 ,  杨健

IPC: C23C16/38

Abstract: 本发明公开了一种化学气相沉积两步法制备大面积硼化镁超导薄膜工艺，它由基片清洗、加热分解沉积薄膜、退火生成超导薄膜几步骤组成。本发明具有工艺简单、过程容易控制、工艺成本低，并可在大面积基片上生成等优点。其面积只受加热器与基片大小的限制，制备出的超导薄膜转变温度在25K～39K之间，并可与现有的微电子工艺相兼容，将薄膜直接应用于高性能超高速微电子系统中。

公开(公告)号：CN1349005A

公开(公告)日：2002-05-15

申请号：CN01128831.0

申请日：2001-09-07

Applicant: 贵州大学

Inventor： 傅兴华 ,  王殿生 ,  张正平 ,  杨健

IPC: C23C16/38

Abstract: 本发明公开了一种化学气相沉积两步法制备大面积硼化镁超导薄膜工艺,它由基片清洗、加热分解沉积薄膜、退火生成超导薄膜几步骤组成。本发明具有工艺简单、过程容易控制、工艺成本低,并可在大面积基片上生成等优点。其面积只受加热器与基片大小的限制,制备出的超导薄膜转变温度在25K～39K之间,并可与现有的微电子工艺相兼容,将薄膜直接应用于高性能超高速微电子系统中。