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公开(公告)号：CN101267127B
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN200810301417.6
申请日：2008-05-05
Applicant: 贵州大学
Abstract: 本发明公开了一种单片型汽车电子调节器电路，该电路包括：启动电路模块与电压基准电路模块、调整管模块连接，电压基准电路模块与误差放大电路模块连接，采样电路模块连接在励磁线圈的L端、F端之间，并与误差放大电路模块连接，误差放大电路模块与电压基准电路模块、采样电路模块、调整管模块连接，过热保护电路模块与调整管模块连接，电子开关电路模块与调整管模块、误差放大电路模块连接，调整管模块与励磁线圈的L端、F端、误差放大电路模块、续流二极管模块连接，续流二极管模块连接在励磁线圈的L端、F端之间，并与调整管模块连接。本发明具有体积小、电压波动范围小，抗反压能力强，温度系数小、可靠性高的优点。
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公开(公告)号：CN104513970B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201410818695.4
申请日：2014-12-25
Applicant: 贵州大学
IPC: C23C16/455 , C23C16/38
Abstract: 本发明公开了一种制备硼化镁超导薄膜的装置及其制备方法，它包括沉积腔室，鼓泡计通过管道与沉积腔室连通，混气装置通过管道与沉积腔室连通，沉积腔室与废气处理装置连通；制作方法包括：制作基片；将基片放置在基片加热装置的基片容器内，关闭沉积腔室，抽真空，通过鼓泡计通入2-10 sccm的(Cp)2Mg，通入Ar稀释的B2H6气体，生成MgB2薄膜，第一层MgB2薄膜生成完成后，切断鼓泡计的(Cp)2Mg和混气室提供的Ar稀释的B2H6气体；对沉积腔室进行抽真空真空度达到10-4Pa后，通入5~10sccm的B2H6气体，在450℃-600℃范围内沉积无定形硼单质层；重复步骤3-5制备出多层MgB2薄膜.本发明解决了现有技术在制备多层MgB2超导薄膜存在工艺复杂，制备成本高，而且样品转移过程中容易受到外界污染使成品超导特性退化等问题。
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公开(公告)号：CN101226985B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200810300269.6
申请日：2008-01-30
Applicant: 贵州大学
IPC: H01L39/24
Abstract: 本发明提供了一种经硼先驱薄膜实现二硼化镁超导薄膜布图布线方法及装置，它在硼先驱薄膜上做PI屏蔽膜，经涂覆PI膜、预固化、匀光刻胶膜、腐蚀PI膜、PI膜固化热处理及腐蚀硼薄膜的处理后得到图形转移到硼薄膜上的样品，该样品再和少量的镁放入密封的钽坩埚中，在高纯氩气中高温退火，实现在二硼化镁超导薄膜上布图布线的目的。本发明提供的通过硼先驱膜的布图布线实现二硼化镁超导薄膜布图布线的方法，可与微电子制造工艺中的光刻技术完全兼容，不会增加生产设备和成本，该方法实施的工艺原理简单，容易操作，成本低廉；能够精确的控制图形的尺寸，非常适合于工业化大规模生产，对于实现MgB2超导薄膜的实际应用有重大的意义。
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公开(公告)号：CN101226984A
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200810300259.2
申请日：2008-01-30
Applicant: 贵州大学
IPC: H01L39/24
Abstract: 本发明提供了一种二硼化镁超导薄膜布图布线方法及装置，它在二硼化镁超导薄膜上做PI屏蔽膜，经涂覆PI膜、预固化、匀光刻胶膜、腐蚀PI膜、PI膜固化热处理及腐蚀二硼化镁超导薄膜的处理后得到图形转移到二硼化镁超导薄膜上的样品，实现在二硼化镁超导薄膜上布图布线的目的。本发明提供的在二硼化镁超导薄膜上制备出各种图形和连线的方法，可与微电子制造工艺中的光刻技术完全兼容，不会增加生产设备和成本，该方法实施的工艺原理简单，容易操作，成本低廉；能够精确的控制图形的尺寸，非常适合于工业化大规模生产，对于实现MgB2超导薄膜的实际应用有重大的意义。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104513970A
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201410818695.4
申请日：2014-12-25
Applicant: 贵州大学
IPC: C23C16/455 , C23C16/38
CPC classification number: C23C16/38
Abstract: 本发明公开了一种制备硼化镁超导薄膜的装置及其制备方法，它包括沉积腔室，鼓泡计通过管道与沉积腔室连通，混气装置通过管道与沉积腔室连通，沉积腔室与废气处理装置连通；制作方法包括：制作基片；将基片放置在基片加热装置的基片容器内，关闭沉积腔室，抽真空，通过鼓泡计通入2-10 sccm的(Cp)2Mg，通入Ar稀释的B2H6气体，生成MgB2薄膜，第一层MgB2薄膜生成完成后，切断鼓泡计的(Cp)2Mg和混气室提供的Ar稀释的B2H6气体；对沉积腔室进行抽真空真空度达到10-4Pa后，通入5~10sccm的B2H6气体，在450℃-600℃范围内沉积无定形硼单质层；重复步骤3-5制备出多层MgB2薄膜.本发明解决了现有技术在制备多层MgB2超导薄膜存在工艺复杂，制备成本高，而且样品转移过程中容易受到外界污染使成品超导特性退化等问题。
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公开(公告)号：CN101267127A
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200810301417.6
申请日：2008-05-05
Applicant: 贵州大学
Abstract: 本发明公开了一种单片型汽车电子调节器电路，该电路包括：启动电路模块与电压基准电路模块、调整管模块连接，电压基准电路模块与误差放大电路模块连接，采样电路模块连接在励磁线圈的L端、F端之间，并与误差放大电路模块连接，误差放大电路模块与电压基准电路模块、采样电路模块、调整管模块连接，过热保护电路模块与调整管模块连接，电子开关电路模块与调整管模块、误差放大电路模块连接，调整管模块与励磁线圈的L端、F端、误差放大电路模块、续流二极管模块连接，续流二极管模块连接在励磁线圈的L端、F端之间，并与调整管模块连接。本发明具有体积小、电压波动范围小，抗反压能力强，温度系数小、可靠性高的优点。
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公开(公告)号：CN101226985A
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200810300269.6
申请日：2008-01-30
Applicant: 贵州大学
IPC: H01L39/24
Abstract: 本发明提供了一种经硼先驱薄膜实现二硼化镁超导薄膜布图布线方法及装置，它在硼先驱薄膜上做PI屏蔽膜，经涂覆PI膜、预固化、匀光刻胶膜、腐蚀PI膜、PI膜固化热处理及腐蚀硼薄膜的处理后得到图形转移到硼薄膜上的样品，该样品再和少量的镁放入密封的钽坩埚中，在高纯氩气中高温退火，实现在二硼化镁超导薄膜上布图布线的目的。本发明提供的通过硼先驱膜的布图布线实现二硼化镁超导薄膜布图布线的方法，可与微电子制造工艺中的光刻技术完全兼容，不会增加生产设备和成本，该方法实施的工艺原理简单，容易操作，成本低廉；能够精确的控制图形的尺寸，非常适合于工业化大规模生产，对于实现MgB2超导薄膜的实际应用有重大的意义。
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公开(公告)号：CN204385291U
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201420833951.2
申请日：2014-12-25
Applicant: 贵州大学
IPC: C23C16/455 , C23C16/38
Abstract: 本实用新型公开了一种制备硼化镁超导薄膜的装置，它包括沉积腔室，鼓泡计通过管道与沉积腔室连通，混气装置通过管道与沉积腔室连通，沉积腔室与废气处理装置连通；本实用新型解决了现有技术在制备多层MgB2超导薄膜存在工艺复杂，制备成本高，而且样品转移过程中容易受到外界污染使成品超导特性退化等问题。
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公开(公告)号：CN201188598Y
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200820300667.3
申请日：2008-05-05
Applicant: 贵州大学
Abstract: 本实用新型公开了一种单片型汽车电子调节器电路，该电路包括：启动电路模块与电压基准电路模块、调整管模块连接，电压基准电路模块与误差放大电路模块连接，采样电路模块连接在励磁线圈的L端、F端之间，并与误差放大电路模块连接，误差放大电路模块与电压基准电路模块、采样电路模块、调整管模块连接，过热保护电路模块与调整管模块连接，电子开关电路模块与调整管模块、误差放大电路模块连接，调整管模块与励磁线圈的L端、F端、误差放大电路模块、续流二极管模块连接，续流二极管模块连接在励磁线圈的L端、F端之间，并与调整管模块连接。本实用新型具有体积小、电压波动范围小，抗反压能力强，温度系数小、可靠性高的优点。
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