公开(公告)号：CN101207952B

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200610170012.4

申请日：2006-12-22

Applicant: 财团法人工业技术研究院

Inventor： 石志聪 ,  黄世才 ,  蔡欣芸 ,  胡鸿烈

IPC: H05B33/08 ,  G02F1/133

Abstract: 本发明首先设定一帧时间(FT)和一单元时间(UT)，并计算所述帧时间可容纳的单元时间的个数(M)。其次，根据复数个发光元件的开启时间(DTi)和所述单元时间(UT)，计算所述复数个发光元件的开启次数(Ni)和补偿时间(CTi)。之后，根据所述开启次数(Ni)和补偿时间(CTi)，驱动所述复数个发光元件发出光束。简单地说，本发明是将各发光元件的开启时间细分成N个单元时间和一补偿时间，再根据所述N个单元时间在所述帧时间供应电流到所述发光元件。如果所述帧时间不足以执行所述N个单元时间，那么使用所述补偿时间予以补足。本发明的驱动方法可应用于驱动光源或液晶显示器的背光源。

公开(公告)号：CN101599517A

公开(公告)日：2009-12-09

申请号：CN200810085907.7

申请日：2008-06-03

Applicant: 财团法人工业技术研究院

Inventor： 石志聪 ,  许镇鹏 ,  杜冠洁 ,  胡鸿烈 ,  陈炳儒 ,  黄世才 ,  蔡欣芸

IPC: H01L33/00 ,  H01L25/16 ,  H01L23/488 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L2224/16225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明公开了一种具静电保护的发光二极管封装结构及其制作方法，其利用一特殊的复合基板来制备一内埋二极管与发光二极管，利用复合基板中的绝缘层来隔绝阵列式结构中的个别的内埋二极管，以使发光二极管装置具有静电保护的功能。本发明还公开了一种发光二极管静电保护系统。

公开(公告)号：CN101599517B

公开(公告)日：2011-07-27

申请号：CN200810085907.7

申请日：2008-06-03

Applicant: 财团法人工业技术研究院

Inventor： 石志聪 ,  许镇鹏 ,  杜冠洁 ,  胡鸿烈 ,  陈炳儒 ,  黄世才 ,  蔡欣芸

IPC: H01L33/00 ,  H01L25/16 ,  H01L23/488 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L2224/16225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明公开了一种具静电保护的发光二极管封装结构及其制作方法，其利用一特殊的复合基板来制备一内埋二极管与发光二极管，利用复合基板中的绝缘层来隔绝阵列式结构中的个别的内埋二极管，以使发光二极管装置具有静电保护的功能。本发明还公开了一种发光二极管静电保护系统。

公开(公告)号：CN101207952A

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN200610170012.4

申请日：2006-12-22

Applicant: 财团法人工业技术研究院

Inventor： 石志聪 ,  黄世才 ,  蔡欣芸 ,  胡鸿烈

IPC: H05B33/08 ,  G02F1/133

Abstract: 本发明首先设定一帧时间(FT)和一单元时间(UT)，并计算所述帧时间可容纳的单元时间的个数(M)。其次，根据复数个发光元件的开启时间(DTi)和所述单元时间(UT)，计算所述复数个发光元件的开启次数(Ni)和补偿时间(CTi)。之后，根据所述开启次数(Ni)和补偿时间(CTi)，驱动所述复数个发光元件发出光束。简单地说，本发明是将各发光元件的开启时间细分成N个单元时间和一补偿时间，再根据所述N个单元时间在所述帧时间供应电流到所述发光元件。如果所述帧时间不足以执行所述N个单元时间，那么使用所述补偿时间予以补足。本发明的驱动方法可应用于驱动光源或液晶显示器的背光源。