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公开(公告)号:CN101527319A
公开(公告)日:2009-09-09
申请号:CN200810082070.0
申请日:2008-03-05
申请人: 财团法人工业技术研究院
IPC分类号: H01L29/786 , H01L21/336
摘要: 本发明提供一种微晶硅薄膜晶体管结构及其制造方法,其反转通道形成于其微晶硅主动层上方接口,而与该微晶硅主动层下方接口的孕核层分开。本发明的该反转通道形成在该微晶硅主动层上方接口结晶性薄膜中,因而使本发明微晶硅薄膜晶体管具有较好的电性及可靠度。
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公开(公告)号:CN101527319B
公开(公告)日:2010-12-15
申请号:CN200810082070.0
申请日:2008-03-05
申请人: 财团法人工业技术研究院
IPC分类号: H01L29/786 , H01L21/336
摘要: 本发明提供一种微晶硅薄膜晶体管结构及其制造方法,其反转通道形成于其微晶硅主动层上方接口,而与该微晶硅主动层下方接口的孕核层分开。本发明的该反转通道形成在该微晶硅主动层上方接口结晶性薄膜中,因而使本发明微晶硅薄膜晶体管具有较好的电性及可靠度。
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