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公开(公告)号:CN100382344C
公开(公告)日:2008-04-16
申请号:CN200410103942.9
申请日:2004-12-31
Applicant: 财团法人工业技术研究院
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明公开了一种发光二极管封装结构及其制作方法,利用由两层硅基材间夹有绝缘层的绝缘硅作为封装基板,然后,在绝缘硅基板的两层硅基材上分别制作凹槽反射座与可将绝缘硅基板分割出正负电极的隔绝槽,再制作多个金属导线电连接前述两层硅基材,即可将发光二极管芯片配置于凹槽反射座上并透过金属导线而电连接至绝缘硅基板的正负电极,可实现发光二极管的封装作业,并提高耐温性、散热性,以及简化制程。