公开(公告)号：CN104158502A

公开(公告)日：2014-11-19

申请号：CN201410397887.2

申请日：2014-08-13

申请人： 豪芯微电子科技(上海)有限公司

发明人： 唐鹏 ,  冯卫锋 ,  孙亚楠 ,  章国豪 ,  曾斌 ,  赵鹏 ,  康春雷 ,  郑爽爽 ,  张顶平 ,  赵家彦 ,  邓义奎 ,  杨红祥 ,  何长亮 ,  沈薇 ,  蔡之君 ,  李义梅 ,  舒志萍

IPC分类号： H03F3/20 ,  H03F3/45

摘要： 本发明涉及通信领域，公开了一种宽带功率放大模块。本发明中，宽带功率放大模块包含：第一放大电路、第二放大电路和第三放大电路；第一放大电路、第二放大电路和第三放大电路依次连接；其中，第一放大电路为宽带放大电路，第二放大电路为高Q值窄带驱动放大电路，第三放大电路为宽带放大电路，其中，第二放大电路包含调谐电路。通过采用窄带且可调的放大器通过调频覆盖较宽的频带，使得本发明实施方式中的宽带功率放大模块在牺牲较少电路性能(增益、输出功率和效率)的前提下，覆盖较宽的频率范围，从而实现利用较少的功率放大器覆盖足够多的频点。

公开(公告)号：CN104184460B

公开(公告)日：2018-02-06

申请号：CN201410398087.2

申请日：2014-08-13

申请人： 豪芯微电子科技(上海)有限公司

发明人： 孙亚楠 ,  唐鹏 ,  冯卫锋 ,  章国豪 ,  曾斌 ,  赵鹏 ,  康春雷 ,  郑爽爽 ,  张顶平 ,  赵家彦 ,  邓义奎 ,  杨红祥 ,  何长亮 ,  沈薇 ,  蔡之君 ,  李义梅 ,  舒志萍

IPC分类号： H03K19/094

摘要： 本发明涉及通信领域，公开了一种射频负载驱动电路。本发明中，包含：L个NMOS管与M个PMOS管，L为大于1的自然数，M为自然数，且L大于或者等于M；L个NMOS管共源共栅地连接；M等于1时，PMOS管按共源方式连接；M大于1时，M个PMOS管共源共栅地连接；源极与电源相连的PMOS管的栅极与第一输入电压相连，源极接地的NMOS管的栅极与第二输入电压相连；与PMOS管的漏极连接在一起的NMOS管的漏极为输出端；其余PMOS管共栅管的栅极对应连接各自的偏置电压，PMOS管共栅管的栅极的偏置电压组成第一组偏置电压，其余NMOS管共栅管的栅极对应连接各自的偏置电压，NMOS管共栅管的栅极的偏置电压组成第二组偏置电压。本发明提高了电路的耐压值与转换效率，还提高了电路的线性度。

公开(公告)号：CN104124932A

公开(公告)日：2014-10-29

申请号：CN201410393305.3

申请日：2014-08-12

申请人： 豪芯微电子科技(上海)有限公司

发明人： 唐鹏 ,  冯卫锋 ,  孙亚楠 ,  章国豪 ,  曾斌 ,  赵鹏 ,  康春雷 ,  郑爽爽 ,  张顶平 ,  赵家彦 ,  邓义奎 ,  杨红祥 ,  何长亮 ,  沈薇 ,  蔡之君 ,  李义梅 ,  舒志萍

IPC分类号： H03F3/20 ,  H03F3/189 ,  H03F1/02

摘要： 本发明涉及通信领域，公开了一种射频功率放大模块。本发明中，射频功率放大模块包含：第一放大电路、第二放大电路、第三放大电路、第一变压器、第二变压器和第三变压器；射频信号依次经第一放大电路、第二放大电路、第三放大电路放大后，再通过串联合成的所述第三变压器功率合成，并通过其单端输出端输出；其中，射频信号通过第一变压器输入第一放大电路；第二放大电路的输出通过第二变压器输入至第三放大电路。通过三级放大电路使得射频信号通过串联合成的变压器合成后输出，增加输出摆幅。

公开(公告)号：CN104158502B

公开(公告)日：2018-02-06

申请号：CN201410397887.2

申请日：2014-08-13

申请人： 豪芯微电子科技(上海)有限公司

发明人： 唐鹏 ,  冯卫锋 ,  孙亚楠 ,  章国豪 ,  曾斌 ,  赵鹏 ,  康春雷 ,  郑爽爽 ,  张顶平 ,  赵家彦 ,  邓义奎 ,  杨红祥 ,  何长亮 ,  沈薇 ,  蔡之君 ,  李义梅 ,  舒志萍

IPC分类号： H03F3/20 ,  H03F3/45

摘要： 本发明涉及通信领域，公开了一种宽带功率放大模块。本发明中，宽带功率放大模块包含：第一放大电路、第二放大电路和第三放大电路；第一放大电路、第二放大电路和第三放大电路依次连接；其中，第一放大电路为宽带放大电路，第二放大电路为高Q值窄带驱动放大电路，第三放大电路为宽带放大电路，其中，第二放大电路包含调谐电路。通过采用窄带且可调的放大器通过调频覆盖较宽的频带，使得本发明实施方式中的宽带功率放大模块在牺牲较少电路性能(增益、输出功率和效率)的前提下，覆盖较宽的频率范围，从而实现利用较少的功率放大器覆盖足够多的频点。

公开(公告)号：CN104124932B

公开(公告)日：2017-10-13

申请号：CN201410393305.3

申请日：2014-08-12

申请人： 豪芯微电子科技(上海)有限公司

发明人： 唐鹏 ,  冯卫锋 ,  孙亚楠 ,  章国豪 ,  曾斌 ,  赵鹏 ,  康春雷 ,  郑爽爽 ,  张顶平 ,  赵家彦 ,  邓义奎 ,  杨红祥 ,  何长亮 ,  沈薇 ,  蔡之君 ,  李义梅 ,  舒志萍

IPC分类号： H03F3/20 ,  H03F3/189 ,  H03F1/02

摘要： 本发明涉及通信领域，公开了一种射频功率放大模块。本发明中，射频功率放大模块包含：第一放大电路、第二放大电路、第三放大电路、第一变压器、第二变压器和第三变压器；射频信号依次经第一放大电路、第二放大电路、第三放大电路放大后，再通过串联合成的所述第三变压器功率合成，并通过其单端输出端输出；其中，射频信号通过第一变压器输入第一放大电路；第二放大电路的输出通过第二变压器输入至第三放大电路。通过三级放大电路使得射频信号通过串联合成的变压器合成后输出，增加输出摆幅。

公开(公告)号：CN104184460A

公开(公告)日：2014-12-03

申请号：CN201410398087.2

申请日：2014-08-13

申请人： 豪芯微电子科技(上海)有限公司

发明人： 孙亚楠 ,  唐鹏 ,  冯卫锋 ,  章国豪 ,  曾斌 ,  赵鹏 ,  康春雷 ,  郑爽爽 ,  张顶平 ,  赵家彦 ,  邓义奎 ,  杨红祥 ,  何长亮 ,  沈薇 ,  蔡之君 ,  李义梅 ,  舒志萍

IPC分类号： H03K19/094

摘要： 本发明涉及通信领域，公开了一种射频负载驱动电路。本发明中，包含：L个NMOS管与M个PMOS管，L为大于1的自然数，M为自然数，且L大于或者等于M；L个NMOS管共源共栅地连接；M等于1时，PMOS管按共源方式连接；M大于1时，M个PMOS管共源共栅地连接；源极与电源相连的PMOS管的栅极与第一输入电压相连，源极接地的NMOS管的栅极与第二输入电压相连；与PMOS管的漏极连接在一起的NMOS管的漏极为输出端；其余PMOS管共栅管的栅极对应连接各自的偏置电压，PMOS管共栅管的栅极的偏置电压组成第一组偏置电压，其余NMOS管共栅管的栅极对应连接各自的偏置电压，NMOS管共栅管的栅极的偏置电压组成第二组偏置电压。本发明提高了电路的耐压值与转换效率，还提高了电路的线性度。

公开(公告)号：CN204156825U

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201420451678.7

申请日：2014-08-12

申请人： 豪芯微电子科技(上海)有限公司

发明人： 唐鹏 ,  冯卫锋 ,  孙亚楠 ,  章国豪 ,  曾斌 ,  赵鹏 ,  康春雷 ,  郑爽爽 ,  张顶平 ,  赵家彦 ,  邓义奎 ,  杨红祥 ,  何长亮 ,  沈薇 ,  蔡之君 ,  李义梅 ,  舒志萍

IPC分类号： H03F3/20

摘要： 本实用新型涉及通信领域，公开了一种射频功率放大器。本实用新型中，射频功率放大器包含：第一放大电路、第二放大电路、第三放大电路、第一变压器、第二变压器和第三变压器；射频信号依次经第一放大电路、第二放大电路、第三放大电路放大后，再通过串联合成的所述第三变压器功率合成，并通过其单端输出端输出；其中，射频信号通过第一变压器输入第一放大电路；第二放大电路的输出通过第二变压器输入至第三放大电路。通过三级放大电路使得射频信号通过串联合成的变压器合成后输出，增加输出摆幅。

公开(公告)号：CN204156845U

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201420456824.5

申请日：2014-08-13

申请人： 豪芯微电子科技(上海)有限公司

发明人： 孙亚楠 ,  唐鹏 ,  冯卫锋 ,  章国豪 ,  曾斌 ,  赵鹏 ,  康春雷 ,  郑爽爽 ,  张顶平 ,  赵家彦 ,  邓义奎 ,  杨红祥 ,  何长亮 ,  沈薇 ,  蔡之君 ,  李义梅 ,  舒志萍

IPC分类号： H03K19/094

摘要： 本实用新型涉及通信领域，公开了一种射频负载驱动单元。本实用新型中，包含：L个NMOS管与M个PMOS管，L为大于1的自然数，M为自然数，且L大于或者等于M；L个NMOS管共源共栅地连接，M等于1时，PMOS管共源方式连接；M大于1时，M个PMOS管共源共栅地连接；源极与电源相连的PMOS管的栅极与第一输入电压相连，源极接地的NMOS管的栅极与第二输入电压相连；与PMOS管的漏极连接在一起的NMOS管的漏极为输出端；其余PMOS管共栅管的栅极对应连接各自的偏置电压，PMOS管共栅管的栅极的偏置电压组成第一组偏置电压，其余NMOS管共栅管的栅极对应连接各自的偏置电压，NMOS管共栅管的栅极的偏置电压组成第二组偏置电压。这样可提高电路的耐压值，又可提高电路的转换效率。

公开(公告)号：CN204180023U

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN201420447834.2

申请日：2014-08-08

申请人： 豪芯微电子科技(上海)有限公司

发明人： 孙亚楠 ,  唐鹏 ,  冯卫锋 ,  章国豪 ,  曾斌 ,  赵鹏 ,  康春雷 ,  郑爽爽 ,  张顶平 ,  赵家彦 ,  邓义奎 ,  杨红祥 ,  何长亮 ,  沈薇 ,  蔡之君 ,  李义梅 ,  舒志萍

IPC分类号： H03F3/20

摘要： 本实用新型提供一种便于功率合成的功率放大器，该功率放大器包含多个功率单元，多个功率单元平行排列成梳状。每一个功率单元包含功率转换有源器件，功率转换有源器件上布局有电源线和地线以及信号线，电源线和地线分成若干根平行排列成梳状；每个功率单元包含若干个功率子单元，每个功率子单元包含有源器件，以及局部电源线、地线和信号线，功率子单元成阵列式分布，并就近连接在分布在功率子单元上面的梳状分布的电源线、地线和信号线上。本实用新型采用梳状布局阵列式结构，可以充分利用有限的金属走线资源，降低版图绘制难度，减小寄生参数的影响，并有利于功率合成。

公开(公告)号：CN204156826U

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201420456933.7

申请日：2014-08-13

申请人： 豪芯微电子科技(上海)有限公司

发明人： 唐鹏 ,  冯卫锋 ,  孙亚楠 ,  章国豪 ,  曾斌 ,  赵鹏 ,  康春雷 ,  郑爽爽 ,  张顶平 ,  赵家彦 ,  邓义奎 ,  杨红祥 ,  何长亮 ,  沈薇 ,  蔡之君 ,  李义梅 ,  舒志萍

IPC分类号： H03F3/20 ,  H03F3/45

摘要： 本实用新型涉及通信领域，公开了一种宽带功率放大器。本实用新型中，宽带功率放大器包含：第一放大电路、第二放大电路和第三放大电路；第一放大电路、第二放大电路和第三放大电路依次连接；其中，第一放大电路为宽带放大电路，第二放大电路为高Q值窄带驱动放大电路，第三放大电路为宽带放大电路，其中，第二放大电路包含调谐电路。通过采用窄带且可调的放大器通过调频覆盖较宽的频带，使得本实用新型实施方式中的宽带功率放大器在牺牲较少电路性能(增益、输出功率和效率)的前提下，覆盖较宽的频率范围，从而实现利用较少的功率放大器覆盖足够多的频点。