-
公开(公告)号：CN109207979A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201811135588.6
申请日：2018-09-27
Applicant: 许昌学院
Abstract: 本发明公开一种基于气相沉积法提高金属疏水性的制备方法，设有：S1步骤：利用控制表面氧化法在金属表面生成氧化金属膜；S2步骤：经六甲基二硅胺烷通过气相沉积法在氧化金属修饰；使用超疏水金属的制作方法，使金属的表面疏水性得到相应的提高，六甲基二硅胺烷相对含氯、氟试剂便宜且毒性很低，对环境友好，从而使金属在潮湿环境下不易发生腐蚀，在低温下不容易结霜结冰，从而不会对其导热，导电性能产生影响，直接使这金属产品和器件稳定性大幅度得到提高，使人民财产和社会安全得到保障。
Search Results
1
records
(took 0.015 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
