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公开(公告)号：CN1989070B
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200580024339.4
申请日：2005-07-19
Applicant: 触媒化成工业株式会社
IPC: C01B33/18 , C09D201/00
CPC classification number: C01B33/193 , C01B33/18 , C08K3/36 , C08K7/26 , C09C1/30 , C09D7/61 , C09D7/67 , C09D7/68 , Y10T428/2995 , Y10T428/31935
Abstract: 为了得到低折射率的二氧化硅类微粒，制成外壳内部具有多孔物质及/或空腔的中空球状二氧化硅类微粒。通过边调整二氧化硅源与除二氧化硅以外的无机氧化物源的添加比率，边使多孔复合氧化物微粒(一次粒子)成长，然后除去二氧化硅以外的无机氧化物，制备在外壳内部具有空腔的中空球状二氧化硅类微粒的分散液。然后根据需要清洗二氧化硅类微粒分散液后，在常温～300℃的范围内熟化，进一步在50～300℃的范围内进行水热处理。
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公开(公告)号：CN101312909A
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200680043928.1
申请日：2006-11-17
Applicant: 触媒化成工业株式会社
IPC: C01B33/18 , C09D7/12 , C09D201/00
CPC classification number: C08K7/26 , B01J21/08 , B82Y30/00 , C01B33/126 , C01B33/146 , C01B33/149 , C01B33/18 , C01P2002/88 , C01P2004/34 , C01P2004/62 , C01P2004/64 , C01P2006/12 , C01P2006/60 , C08K9/04 , C09C1/30 , C09C1/3063 , C09D7/67 , C09D7/68 , C09D7/70 , C09D133/14 , C09D183/08 , Y10T428/265 , Y10T428/2993 , Y10T428/2996
Abstract: 本发明提供一种可抑制透明涂膜泛白、可发挥优异的耐划擦性或密合性的中空二氧化硅微粒和其制造方法。本发明涉及一种通过动态光散射法测定的平均粒径为5～300nm、比表面积为50～1500m2/g、外壳的内部形成空洞的中空二氧化硅微粒，通过进行热重量测定(TG)，在200℃～500℃的温度范围内显示出1.0重量％以上的重量减少。另外，此中空二氧化硅微粒在200℃～500℃的温度范围内的差热分析测定(DTA)中具有正的DTA峰。
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公开(公告)号：CN1972866A
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：CN200480043378.4
申请日：2004-07-08
Applicant: 触媒化成工业株式会社
IPC: C01B33/18 , C09C1/28 , C09D201/00 , C09D7/12
CPC classification number: C09C1/3081 , B82Y30/00 , C01B13/363 , C01B33/146 , C01P2004/34 , C01P2004/62 , C01P2004/64 , C08K7/26 , C08K9/06 , C09C1/3045 , C09C1/309 , C09D7/67 , C09D7/68 , C09D7/70 , Y10T428/26 , Y10T428/2984
Abstract: 为了得到低折射率的二氧化硅类微粒，制成外壳内部具有空洞的中空球状二氧化硅类微粒。通过如下操作制备二氧化硅类微粒，即在碱性水溶液中同时加入硅酸盐水溶液及/或酸性硅酸液和碱可溶的无机化合物水溶液配制复合氧化物微粒分散液时，加入电解质盐直至电解质盐的摩尔数(ME)与SiO2的摩尔数(MS)之比(ME/MS)在0.1～10的范围内后，使粒子生长，然后，根据需要在上述复合氧化物微粒分散液中再加入电解质盐，之后加入酸除去至少一部分构成上述复合氧化物微粒的除硅之外的元素而制成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101089056A
公开(公告)日：2007-12-19
申请号：CN200710109844.X
申请日：2007-05-31
Applicant: 触媒化成工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种透明被膜形成涂料，该透明被膜形成涂料可以涂布1种涂料一次，形成具有至少2种以上功能的透明被膜。该透明被膜形成涂料是含有以下成分的透明被膜形成涂料，(A)金属氧化物微粒(A)，该微粒的表面用有机硅化合物及/或具有疏水性官能基的多官能丙烯酸酯树脂进行了表面处理，且表面电荷量(QA)在5～80μeq/g的范围内；(B)基质形成成分，该成分含有疏水性基质形成成分，该疏水性基质形成成分包括有机硅化合物或其水解物、水解缩聚物，及/或具有疏水性官能基的多官能(甲基)丙烯酸酯树脂；(C)极性溶剂。其中，金属氧化物微粒(A)的作为固形成分的浓度(CPA)在0.1～20重量％的范围内，基质形成成分(C)的作为固形成分的浓度(CM)在1～50重量％的范围。
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公开(公告)号：CN1989070A
公开(公告)日：2007-06-27
申请号：CN200580024339.4
申请日：2005-07-19
Applicant: 触媒化成工业株式会社
IPC: C01B33/18 , C09D201/00
CPC classification number: C01B33/193 , C01B33/18 , C08K3/36 , C08K7/26 , C09C1/30 , C09D7/61 , C09D7/67 , C09D7/68 , Y10T428/2995 , Y10T428/31935
Abstract: 为了得到低折射率的二氧化硅类微粒，制成外壳内部具有多孔物质及/或空腔的中空球状二氧化硅类微粒。通过边调整二氧化硅源与除二氧化硅以外的无机氧化物源的添加比率，边使多孔复合氧化物微粒(一次粒子)成长，然后除去二氧化硅以外的无机氧化物，制备在外壳内部具有空腔的中空球状二氧化硅类微粒的分散液。然后根据需要清洗二氧化硅类微粒分散液后，在常温～300℃的范围内熟化，进一步在50～300℃的范围内进行水热处理。
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公开(公告)号：CN1281491C
公开(公告)日：2006-10-25
申请号：CN200410084010.4
申请日：2004-10-13
Applicant: 触媒化成工业株式会社
IPC: C01B33/18
CPC classification number: H01B1/08 , C01P2006/40 , C01P2006/60 , C09C1/3054 , Y10T428/2991
Abstract: 本发明提供一种折射率低并且具有导电性的氧化锑被覆氧化硅类微粒。此氧化锑被覆氧化硅类微粒由多孔质的氧化硅类微粒或内部具有空洞的氧化硅微粒上被覆氧化锑而形成。此氧化锑被覆氧化硅类微粒的折射率在1.35～1.60的范围内，体积电阻值在10～5000Ω/cm的范围内，平均粒径在5～300nm的范围内，氧化锑被覆层的厚度在0.5～30nm的范围内。
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公开(公告)号：CN1626584A
公开(公告)日：2005-06-15
申请号：CN200410090548.6
申请日：2004-11-08
Applicant: 触媒化成工业株式会社
IPC: C09C3/10 , C09C1/28 , C09D133/00
CPC classification number: C01G30/005 , B82Y30/00 , C01B33/146 , C01F7/02 , C01P2004/62 , C01P2004/64 , C01P2006/40 , H01C17/06533
Abstract: 本发明提供了一种链氧化锑细颗粒团，它包含平均粒径为5－50nm、以链的形式连接并且平均连接数为2－30的氧化锑细颗粒。较佳地，所述细颗粒团用于形成硬涂膜。所述细颗粒团可通过以下方法制备：用阳离子交换树脂处理碱金属锑酸盐水溶液以制备锑酸(凝胶)分散液，然后用阴离子交换树脂处理所述分散液，和/或向所述分散液中加入碱。本发明还提供了一种具有膜的基材，它包含基材和硬涂膜，所述硬涂膜包含链无机氧化物细颗粒团和基质，其中，平均有2－30个无机氧化物细颗粒以链的形式连接。作为无机氧化物颗粒，优选二氧化硅颗粒或二氧化硅－氧化铝颗粒，更优选多孔颗粒和/或内部具有空穴的空心颗粒。通过形成该硬涂膜，可以得到具有硬涂膜的基材，它改善了膜对基材的粘着性和抗划伤性，防止了灰尘的附着，并且不会使产率下降。
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公开(公告)号：CN1608986A
公开(公告)日：2005-04-27
申请号：CN200410084010.4
申请日：2004-10-13
Applicant: 触媒化成工业株式会社
IPC: C01B33/18
CPC classification number: H01B1/08 , C01P2006/40 , C01P2006/60 , C09C1/3054 , Y10T428/2991
Abstract: 本发明提供一种折射率低并且具有导电性的氧化锑被覆氧化硅类微粒。此氧化锑被覆氧化硅类微粒由多孔质的氧化硅类微粒或内部具有空洞的氧化硅微粒上被覆氧化锑而形成。此氧化锑被覆氧化硅类微粒的折射率在1.35～1.60的范围内，体积电阻值在10～5000Ω/cm的范围内，平均粒径在5～300nm的范围内，氧化锑被覆层的厚度在0.5～30nm的范围内。
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