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公开(公告)号：CN102741940A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201180007969.6
申请日：2011-01-26
Applicant: 西门子公司
CPC classification number: G21G1/10 , G21G2001/0015 , G21G2001/0036 , G21G2001/0042 , H05H6/00
Abstract: 本发明涉及借助加速的粒子束制造第一和第二放射性同位素的方法，其中，加速的粒子束对准第一原材料，并且其中，通过第一核反应出于粒子束与第一原材料的相互作用制造第一放射性同位素，粒子束由此减速，并且粒子束接下来对准第二原材料，并且通过第二核反应出于粒子束与第二原材料的相互作用制造第二放射性同位素，其中，用于引起第一核反应的作用截面具有第一粒子能量的第一峰值，并且其中，用于引起第二核反应的作用截面具有第二粒子能量的第二峰值，所述第二粒子能量低于第一粒子能量。此外，本发明涉及相应的设备，其包括加速器单元、带有第一原材料的第一照射目标和沿照射进行方向之后安装的带有第二原材料的第二照射目标。
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公开(公告)号：CN102741169A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201180007948.4
申请日：2011-01-20
Applicant: 西门子公司
CPC classification number: G21G1/10 , A61K51/025 , C01G99/003 , G21G1/001 , G21G2001/0042
Abstract: 本发明涉及用于制造99mTc的方法，其包括以下步骤：提供含有100Mo-钼酸根离子的溶液(11、21、31)；提供具有如下能量的质子束(15)，该能量适合于在照射100Mo-钼酸根离子时引起100Mo(p，2n)99mTc核反应；使用提取方法从溶液中提取99mTc。本发明还涉及制造99mTc的设备，包括含有100Mo-钼酸根离子的溶液(11、21、31)；加速器，用于提供具有适于在照射100Mo-钼酸根离子时引起100Mo(p，2n)99mTc核反应的能量的质子束，该质子束用于照射溶液并且用于引起100Mo(p，2n)99mTc核反应；提取段(19)，用于从溶液中提取99mTc。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102741940B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201180007969.6
申请日：2011-01-26
Applicant: 西门子公司
CPC classification number: G21G1/10 , G21G2001/0015 , G21G2001/0036 , G21G2001/0042 , H05H6/00
Abstract: 本发明涉及借助加速的粒子束制造第一和第二放射性同位素的方法，其中，加速的粒子束对准第一原材料，并且其中，通过第一核反应出于粒子束与第一原材料的相互作用制造第一放射性同位素，粒子束由此减速，并且粒子束接下来对准第二原材料，并且通过第二核反应出于粒子束与第二原材料的相互作用制造第二放射性同位素，其中，用于引起第一核反应的作用截面具有第一粒子能量的第一峰值，并且其中，用于引起第二核反应的作用截面具有第二粒子能量的第二峰值，所述第二粒子能量低于第一粒子能量。此外，本发明涉及相应的设备，其包括加速器单元、带有第一原材料的第一照射目标和沿照射进行方向之后安装的带有第二原材料的第二照射目标。
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公开(公告)号：CN102612865A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201080051764.3
申请日：2010-10-18
Applicant: 西门子公司
Abstract: 本发明涉及一种高频腔，包括其中该高频腔包括：腔，包围该腔的传导壁（15），该传导壁具有内侧（19）和外侧（17），以及具有多个固体开关（29）的开关装置，所述多个固体开关沿着围绕所述腔的壁（15）的外周布置，其中固体开关（29）与传导壁（15）这样连接，使得在激活所述开关装置的情况下在传导壁（15）中感应出高频电流，由此高频功率被耦合到高频腔（11）的腔中，其中在导电壁（15）的外侧（17）沿着高频腔（11）的外周存在屏蔽设备（33,37,39,41,43），该屏蔽设备提高高频电流沿着壁（15）的外侧（17）的传播路径的阻抗，使得耦合到壁（15）中的高频电流在壁（15）的外侧（17）受到抑制。此外本发明还涉及一种具有主要的高频腔的加速器。
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公开(公告)号：CN102741169B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201180007948.4
申请日：2011-01-20
Applicant: 西门子公司
CPC classification number: G21G1/10 , A61K51/025 , C01G99/003 , G21G1/001 , G21G2001/0042
Abstract: 本发明涉及用于制造99mTc的方法，其包括以下步骤：提供含有100Mo-钼酸根离子的溶液(11、21、31)；提供具有如下能量的质子束(15)，该能量适合于在照射100Mo-钼酸根离子时引起100Mo(p，2n)99mTc核反应；使用提取方法从溶液中提取99mTc。本发明还涉及制造99mTc的设备，包括含有100Mo-钼酸根离子的溶液(11、21、31)；加速器，用于提供具有适于在照射100Mo-钼酸根离子时引起100Mo(p，2n)99mTc核反应的能量的质子束，该质子束用于照射溶液并且用于引起100Mo(p，2n)99mTc核反应；提取段(19)，用于从溶液中提取99mTc。
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公开(公告)号：CN102612865B
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201080051764.3
申请日：2010-10-18
Applicant: 西门子公司
Abstract: 本发明涉及一种高频腔，包括其中该高频腔包括：腔，包围该腔的传导壁（15），该传导壁具有内侧（19）和外侧（17），以及具有多个固体开关（29）的开关装置，所述多个固体开关沿着围绕所述腔的壁（15）的外周布置，其中固体开关（29）与传导壁（15）这样连接，使得在激活所述开关装置的情况下在传导壁（15）中感应出高频电流，由此高频功率被耦合到高频腔（11）的腔中，其中在导电壁（15）的外侧（17）沿着高频腔（11）的外周存在屏蔽设备（33,37,39,41,43），该屏蔽设备提高高频电流沿着壁（15）的外侧（17）的传播路径的阻抗，使得耦合到壁（15）中的高频电流在壁（15）的外侧（17）受到抑制。此外本发明还涉及一种具有主要的高频腔的加速器。
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公开(公告)号：CN102741939A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201180007946.5
申请日：2011-01-26
Applicant: 西门子公司
CPC classification number: G21G1/10 , G21G1/001 , G21G2001/0042
Abstract: 本发明涉及用于制造含有99mTc的反应产物的方法，包括以下步骤：-提供待照射的100Mo-金属靶，-以具有引起100Mo(p，2n)99mTc核反应的能量的质子束照射100Mo-金属靶，-将100Mo-金属靶加热到超过300℃的温度，-借助氧气在升华-提取过程中获取在100Mo-金属靶中产生的99mTc，所述氧气经引导至100Mo-金属靶上从而形成99mTc-氧化锝。另外，本发明涉及用于制造含有99mTc的反应产物的设备，包括：-100Mo-金属靶，-用于提供质子束的加速器单元，该质子束可对准100Mo-金属靶，其中，质子束具有适于在使用质子束照射100Mo-金属靶时引起100Mo(p，2n)99mTc核反应的能量，-用来将氧气输送到受照射的100Mo-金属靶上以形成99mTc-氧化锝的气体输送管道，-用来导出经升华的99mTc-氧化锝的气体输送管道。
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