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公开(公告)号：CN114746940B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202080079715.4
申请日：2020-05-29
申请人： 西部数据技术公司
摘要： 本公开涉及预处理磁记录头以延长磁介质驱动器的寿命。将透明涂抹物有目的地形成于所述磁记录头上以确保所述磁记录头不会过热且导致短驱动器寿命。所述透明涂抹物由磁介质中存在的材料形成。所述透明涂抹物是通过使用来自所述磁介质的透明材料预处理所述磁记录头而形成。所述预处理在不将任何数据写入到所述磁介质的情况下进行。一旦所述透明涂抹物处于适当位置，就可进行写入。如果所述透明涂抹物退化，那么可在稍后时间重新处理所述磁记录头。此外，如果光学吸收涂抹物产生，那么其可被移除且可形成新的透明涂抹物。
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公开(公告)号：CN114746940A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202080079715.4
申请日：2020-05-29
申请人： 西部数据技术公司
摘要： 本公开涉及预处理磁记录头以延长磁介质驱动器的寿命。将透明涂抹物有目的地形成于所述磁记录头上以确保所述磁记录头不会过热且导致短驱动器寿命。所述透明涂抹物由磁介质中存在的材料形成。所述透明涂抹物是通过使用来自所述磁介质的透明材料预处理所述磁记录头而形成。所述预处理在不将任何数据写入到所述磁介质的情况下进行。一旦所述透明涂抹物处于适当位置，就可进行写入。如果所述透明涂抹物退化，那么可在稍后时间重新处理所述磁记录头。此外，如果光学吸收涂抹物产生，那么其可被移除且可形成新的透明涂抹物。
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公开(公告)号：CN114730574B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202080079732.8
申请日：2020-05-28
申请人： 西部数据技术公司
摘要： 本公开涉及用于磁介质驱动器的磁记录介质。在操作期间，吸收涂片可以在磁记录头上发展。吸收涂片导致缩短的驱动器使用寿命。另一方面，与吸收涂片相比，透明涂片对驱动器使用寿命不具有那么有害的影响。通过将介质与可能导致透明涂片发展的掺杂剂掺杂，可以减少或甚至消除吸收涂片的形成，这导致更长的驱动器使用寿命。掺杂剂可以设置在介质的封盖层中或吸收保护层中。在操作期间，掺杂剂将通过介质迁移到介质的顶部表面。掺杂剂将从介质的顶部表面沉积在磁头上并形成透明涂片。
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公开(公告)号：CN114730576A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202080079770.3
申请日：2020-06-05
申请人： 西部数据技术公司
IPC分类号： G11B13/08
摘要： 本发明公开了一种热辅助磁记录(HAMR)硬盘驱动器，该HAMR硬盘驱动器具有支撑近场换能器(NFT)和NFT温度传感器(NTS)的气体轴承滑块。可选的第一IVC电路可以向滑块主体提供偏置电压，以确保滑块主体与盘之间的基本上零电位，从而使滑块‑盘接触和润滑拾取最小化。第二IVC电路独立于第一IVC电路操作，并且相对于盘向NTS(和连接的NFT)提供负偏置电压，以使过度加热对NFT的不利影响最小化。
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公开(公告)号：CN114730576B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202080079770.3
申请日：2020-06-05
申请人： 西部数据技术公司
摘要： 本发明公开了一种热辅助磁记录(HAMR)硬盘驱动器，该HAMR硬盘驱动器具有支撑近场换能器(NFT)和NFT温度传感器(NTS)的气体轴承滑块。可选的第一IVC电路可以向滑块主体提供偏置电压，以确保滑块主体与盘之间的基本上零电位，从而使滑块‑盘接触和润滑拾取最小化。第二IVC电路独立于第一IVC电路操作，并且相对于盘向NTS(和连接的NFT)提供负偏置电压，以使过度加热对NFT的不利影响最小化。
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公开(公告)号：CN114730574A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202080079732.8
申请日：2020-05-28
申请人： 西部数据技术公司
IPC分类号： G11B5/73
摘要： 本公开涉及用于磁介质驱动器的磁记录介质。在操作期间，吸收涂片可以在磁记录头上发展。吸收涂片导致缩短的驱动器使用寿命。另一方面，与吸收涂片相比，透明涂片对驱动器使用寿命不具有那么有害的影响。通过将介质与可能导致透明涂片发展的掺杂剂掺杂，可以减少或甚至消除吸收涂片的形成，这导致更长的驱动器使用寿命。掺杂剂可以设置在介质的封盖层中或吸收保护层中。在操作期间，掺杂剂将通过介质迁移到介质的顶部表面。掺杂剂将从介质的顶部表面沉积在磁头上并形成透明涂片。
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