公开(公告)号：CN101036218A

公开(公告)日：2007-09-12

申请号：CN200580033918.5

申请日：2005-10-04

Applicant: 西尔弗布鲁克研究有限公司

Inventor： 达雷尔·拉鲁埃·麦克雷诺兹 ,  卡·西尔弗布鲁克

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/308

CPC classification number: H01L21/02057 ,  B41J2/1412 ,  B41J2/1601 ,  B41J2/1623 ,  B41J2/1628 ,  B41J2/1631 ,  B41J2/164 ,  B81B2201/052 ,  B81B2203/033 ,  B81C1/00849 ,  B81C2201/0112 ,  B81C2201/0132

Abstract: 提供一种从限定在硅晶片[5]中的蚀刻沟槽的侧壁上移除聚合物涂层的方法。该方法包括在偏压等离子体蚀刻室中利用O2等离子体蚀刻晶片。室温度在90～180℃范围内。

公开(公告)号：CN100565815C

公开(公告)日：2009-12-02

申请号：CN200580033918.5

申请日：2005-10-04

Applicant: 西尔弗布鲁克研究有限公司

Inventor： 达雷尔·拉鲁埃·麦克雷诺兹 ,  卡·西尔弗布鲁克

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/308

CPC classification number: H01L21/02057 ,  B41J2/1412 ,  B41J2/1601 ,  B41J2/1623 ,  B41J2/1628 ,  B41J2/1631 ,  B41J2/164 ,  B81B2201/052 ,  B81B2203/033 ,  B81C1/00849 ,  B81C2201/0112 ,  B81C2201/0132

Abstract: 提供一种从限定在硅晶片[5]中的蚀刻沟槽的侧壁上移除聚合物涂层的方法。该方法包括在偏压等离子体蚀刻室中利用O2等离子体蚀刻晶片。室温度在90～180℃范围内。