公开(公告)号：CN102882474B

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201210378416.8

申请日：2012-09-29

Applicant: 西安空间无线电技术研究所

Inventor： 狄青叶 ,  朱正贤 ,  杨飞 ,  和新阳 ,  裴秀媛

IPC: H03D7/16

Abstract: 本发明涉及一种具有高阶谐波抑制能力的混频器及其抑制方法，属于微波技术领域。包括功分网络、本振谐波抑制网络、场效应管和3dB耦合桥，本振谐波抑制网络和场效应管均为两个；本振信号首先经过功分网络，然后馈入场效应管；射频信号经过3dB耦合桥，然后馈入场效应管；射频信号和本振信号在场效应管进行混频，本振谐波抑制网络对场效应管非线性效应产生的本振谐波信号进行抑制；获得的信号经过3dB耦合桥进行功率合成，最后输出中频信号。本发明能大幅提升LO谐波抑制能力；提升LO谐波抑制能力的同时，不影响混频器混频性能，特别适合LO谐波落入IF带内的情况。

公开(公告)号：CN102882474A

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：CN201210378416.8

申请日：2012-09-29

Applicant: 西安空间无线电技术研究所

Inventor： 狄青叶 ,  朱正贤 ,  杨飞 ,  和新阳 ,  裴秀媛

IPC: H03D7/16

Abstract: 本发明涉及一种具有高阶谐波抑制能力的混频器及其抑制方法，属于微波技术领域。包括功分网络、本振谐波抑制网络、场效应管和3dB耦合桥，本振谐波抑制网络和场效应管均为两个；本振信号首先经过功分网络，然后馈入场效应管；射频信号经过3dB耦合桥，然后馈入场效应管；射频信号和本振信号在场效应管进行混频，本振谐波抑制网络对场效应管非线性效应产生的本振谐波信号进行抑制；获得的信号经过3dB耦合桥进行功率合成，最后输出中频信号。本发明能大幅提升LO谐波抑制能力；提升LO谐波抑制能力的同时，不影响混频器混频性能，特别适合LO谐波落入IF带内的情况。