公开(公告)号：CN113725076A

公开(公告)日：2021-11-30

申请号：CN202110790401.1

申请日：2021-07-13

申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院

发明人： 任泽阳 ,  张金风 ,  李佳颖 ,  谷露云 ,  丁森川 ,  苏凯 ,  何琦 ,  张进成 ,  郝跃

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/04

摘要： 本发明提供的一种氢终端金刚石隧穿欧姆接触电阻的制备方法，采用超薄高功函数介质层在氢终端金刚石表面形成超高浓度的空穴层，然后淀积一层金属，利用隧穿原理形成欧姆接触，极大降低欧姆接触电阻。本发明可以兼容现有工艺，操作简单成本低，不需要额外工艺设备，应用前景良好。

公开(公告)号：CN113725076B

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202110790401.1

申请日：2021-07-13

申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院

发明人： 任泽阳 ,  张金风 ,  李佳颖 ,  谷露云 ,  丁森川 ,  苏凯 ,  何琦 ,  张进成 ,  郝跃

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/04

摘要： 本发明提供的一种氢终端金刚石隧穿欧姆接触电阻的制备方法，采用超薄高功函数介质层在氢终端金刚石表面形成超高浓度的空穴层，然后淀积一层金属，利用隧穿原理形成欧姆接触，极大降低欧姆接触电阻。本发明可以兼容现有工艺，操作简单成本低，不需要额外工艺设备，应用前景良好。