公开(公告)号：CN111190456A

公开(公告)日：2020-05-22

申请号：CN202010036831.X

申请日：2020-01-14

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 来新泉 ,  吴美中 ,  王宇恒 ,  胡枭 ,  刘晨

IPC: G05F3/26

Abstract: 本发明公开了一种高输入电压双环路稳定的线性稳压器，包括误差放大单元(1)，过流保护单元(2)，补偿电路单元(3)，二级放大单元(4)，电流采样单元(5)，第一PMOS管P1和第二PMOS管P2。误差放大器单元(1)，用于完成双端输入到单端输出的转换；过流保护单元(2)，用于实现过流保护功能；补偿电路单元(3)，用于保证在多种负载下环路的稳定性；二级放大单元(4)，用于将误差放大器的输出转换成与电源电压有关的两路控制信号。本发明存在误差放大单元主环路和过流保护环路两个环路，两个环路均有频率补偿电路，且频率补偿互不干扰。本发明适用于高电源电压且负载变化范围较大的供电环境。

公开(公告)号：CN111045470A

公开(公告)日：2020-04-21

申请号：CN202010039813.7

申请日：2020-01-15

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 来新泉 ,  陈廷奇 ,  孙昂勃 ,  蔚道嘉 ,  刘晨 ,  胡枭

IPC: G05F1/56

Abstract: 本发明公开了一种低失调电压高电源抑制比的带隙基准电路，该带隙基准电路包括电压调制单元(1)、带隙核心单元(2)和运算放大器单元(3)；电压调制单元屏蔽电源VDD上的噪声，产生调制电压VREF为带隙核心单元和运算放大器单元供电，提高电源抑制比；带隙核心单元产生零温度系数的带隙基准电压VBG；运算放大器单元保证第一钳位电压VA与第二钳位电压VB相等，输出反馈电压VF到带隙核心单元构成反馈环路，保证带隙基准电压VBG的稳定。本发明采用电压调制单元，有效提高电源抑制比；运算放大器单元失调电压小，提高了带隙基准电压的精度。本发明具有低失调电压、高电源抑制比的特点，可用于模拟集成电路。

公开(公告)号：CN111190456B

公开(公告)日：2021-06-01

申请号：CN202010036831.X

申请日：2020-01-14

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 来新泉 ,  吴美中 ,  王宇恒 ,  胡枭 ,  刘晨

IPC: G05F3/26

Abstract: 本发明公开了一种高输入电压双环路稳定的线性稳压器，包括误差放大单元(1)，过流保护单元(2)，补偿电路单元(3)，二级放大单元(4)，电流采样单元(5)，第一PMOS管P1和第二PMOS管P2。误差放大器单元(1)，用于完成双端输入到单端输出的转换；过流保护单元(2)，用于实现过流保护功能；补偿电路单元(3)，用于保证在多种负载下环路的稳定性；二级放大单元(4)，用于将误差放大器的输出转换成与电源电压有关的两路控制信号。本发明存在误差放大单元主环路和过流保护环路两个环路，两个环路均有频率补偿电路，且频率补偿互不干扰。本发明适用于高电源电压且负载变化范围较大的供电环境。

公开(公告)号：CN111045470B

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN202010039813.7

申请日：2020-01-15

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 来新泉 ,  陈廷奇 ,  孙昂勃 ,  蔚道嘉 ,  刘晨 ,  胡枭

IPC: G05F1/56

Abstract: 本发明公开了一种低失调电压高电源抑制比的带隙基准电路，该带隙基准电路包括电压调制单元(1)、带隙核心单元(2)和运算放大器单元(3)；电压调制单元屏蔽电源VDD上的噪声，产生调制电压VREF为带隙核心单元和运算放大器单元供电，提高电源抑制比；带隙核心单元产生零温度系数的带隙基准电压VBG；运算放大器单元保证第一钳位电压VA与第二钳位电压VB相等，输出反馈电压VF到带隙核心单元构成反馈环路，保证带隙基准电压VBG的稳定。本发明采用电压调制单元，有效提高电源抑制比；运算放大器单元失调电压小，提高了带隙基准电压的精度。本发明具有低失调电压、高电源抑制比的特点，可用于模拟集成电路。