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公开(公告)号:CN101740566A
公开(公告)日:2010-06-16
申请号:CN200910254421.6
申请日:2009-12-21
申请人: 西安电子科技大学
IPC分类号: H01L27/02
摘要: 本发明提供一种适用于半导体集成电路的电流熔断多晶熔丝电路,主要解决现有多晶熔丝电路面积过大的问题。它包括:多晶熔丝、熔断控制电路和输出变换器,该多晶熔丝串联在外部半导体集成电路电源与熔断控制结构之间;熔断控制电路由NMOS晶体管缓冲器和NMOS晶体管电平稳定器组成,串联在多晶熔丝与地之间,以产生熔断熔丝所需的大电流;输出变换器由反相器构成,输入端与熔断控制电路及多晶熔丝连接,输出端作为多晶熔丝电路的输出,以保证多晶熔丝电路输出标准数字逻辑电平。本发明减小了多晶熔丝电路面积,节省了芯片面积,降低了芯片成本,可用于半导体集成电路的修调。
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公开(公告)号:CN101740566B
公开(公告)日:2011-11-02
申请号:CN200910254421.6
申请日:2009-12-21
申请人: 西安电子科技大学
IPC分类号: H01L27/02
摘要: 本发明提供一种适用于半导体集成电路的电流熔断多晶熔丝电路,主要解决现有多晶熔丝电路面积过大的问题。它包括:多晶熔丝、熔断控制电路和输出变换器,该多晶熔丝串联在外部半导体集成电路电源与熔断控制结构之间;熔断控制电路由NMOS晶体管缓冲器和NMOS晶体管电平稳定器组成,串联在多晶熔丝与地之间,以产生熔断熔丝所需的大电流;输出变换器由反相器构成,输入端与熔断控制电路及多晶熔丝连接,输出端作为多晶熔丝电路的输出,以保证多晶熔丝电路输出标准数字逻辑电平。本发明减小了多晶熔丝电路面积,节省了芯片面积,降低了芯片成本,可用于半导体集成电路的修调。
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公开(公告)号:CN101777914A
公开(公告)日:2010-07-14
申请号:CN201010013572.5
申请日:2010-01-08
申请人: 西安电子科技大学
IPC分类号: H03M1/10
摘要: 本发明公开了一种高精度电流舵数模转换器及其匹配误差的校准方法,主要解决现有电流舵数模转换器精度受限,校准电路设计难度大、上电时间长的缺点。本发明的数模转换器设置了校准电路,它包括MSB校准模块,用于MSB电流源校准;ISB校准模块,用于ISB电流源校准;LSB校准模块,用于MSB电流源校准;偏置电流校准模块,用于偏置电流校准。本发明的校准方法包含电流误差测量、校准电流确定和校准状态写入三步,结合本发明的数模转换器,可以完成高精度电流舵数模转换器匹配误差的校准。本发明提高了电流舵数模转换器精度,降低了校准电路的设计难度,缩短了上电时间,可用于电流舵结构数模转换器匹配误差校准。
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