公开(公告)号：CN115560886A

公开(公告)日：2023-01-03

申请号：CN202211138227.3

申请日：2022-09-19

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 刘金妹 ,  顾陇 ,  杨茂森 ,  崔暖洋 ,  王雨昕 ,  李晨 ,  李子昕 ,  徐炅尧

IPC: G01L1/16

Abstract: 本发明公开了一种基于压电势增强摩擦电效应的无源压力传感器，包括：电极层、柔性高分子材料层、ZnO褶皱层、ZnO纳米线层以及负极性摩擦层；其中，制成所述ZnO褶皱层时所沉积的ZnO厚度为10nm～1μm，制成所述柔性高分子材料层的柔性高分子材料和ZnO的热膨胀系数不匹配，所述ZnO纳米线层中的ZnO顶部晶面为(0001)晶面。本发明提供的压力传感器具有更高的灵敏度。

公开(公告)号：CN115560886B

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN202211138227.3

申请日：2022-09-19

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 刘金妹 ,  顾陇 ,  杨茂森 ,  崔暖洋 ,  王雨昕 ,  李晨 ,  李子昕 ,  徐炅尧

IPC: G01L1/16

Abstract: 本发明公开了一种基于压电势增强摩擦电效应的无源压力传感器，包括：电极层、柔性高分子材料层、ZnO褶皱层、ZnO纳米线层以及负极性摩擦层；其中，制成所述ZnO褶皱层时所沉积的ZnO厚度为10nm～1μm，制成所述柔性高分子材料层的柔性高分子材料和ZnO的热膨胀系数不匹配，所述ZnO纳米线层中的ZnO顶部晶面为(0001)晶面。本发明提供的压力传感器具有更高的灵敏度。