公开(公告)号：CN102437085B

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201110361512.7

申请日：2011-11-16

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 戴显英 ,  张鹤鸣 ,  郝跃 ,  王琳 ,  宁静 ,  李志 ,  王晓晨 ,  查冬 ,  付毅初

IPC: H01L21/762

Abstract: 本发明公开了一种机械致单轴应变SOI晶圆的制作方法，包括以下步骤：1)SOI晶圆顶层Si层面向上或向下放置在弧形弯曲台上；2)两根圆柱形不锈钢压杆分别水平放置在SOI晶圆两端，距SOI晶圆边缘1cm；3)缓慢旋动连接压杆的螺帽，使SOI晶圆沿弧形台面逐渐弯曲，直至SOI晶圆完全与弧形台面贴合；4)载有SOI晶圆的弧形弯曲台放置在退火炉中进行退火；5)退火结束后缓慢降温至室温，取出载有SOI晶圆片的弧形弯曲台；6)旋动连接压杆的螺帽，将压杆缓慢提升，直至弯曲的SOI晶圆回复原状。本发明具有如下优点：1)应变效果好；2)表面粗糙度小；3)表面缺陷少；4)热性能良好；5)电学性能高；6)成品率高；7)退火温度范围大；8)制作工艺简单；9)制作设备少且可自制；10)制作成本低；11)原料易得。

公开(公告)号：CN102437054B

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201110361525.4

申请日：2011-11-16

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 郝跃 ,  王晓晨 ,  戴显英 ,  金国强 ,  李志 ,  王琳 ,  张鹤鸣

IPC: H01L21/324

Abstract: 本发明公开了一种晶圆级单轴应变SGOI的制作方法，包括以下步骤：1)SGOI晶圆顶层SiGe层面向上或向下放置在弧形弯曲台上；2)两根圆柱形不锈钢压杆分别水平放置在SGOI晶圆两端，距SGOI晶圆边缘1cm；3)缓慢旋动连接压杆的螺帽，使SGOI晶圆沿弧形台面逐渐弯曲，直至SGOI晶圆完全与弧形台面贴合；4)载有SGOI晶圆的弧形弯曲台放置在退火炉中进行退火；5)退火结束后缓慢降温至室温，取出载有SGOI晶圆片的弧形弯曲台；6)旋动连接压杆的螺帽，将压杆缓慢提升，直至弯曲的SGOI晶圆回复原状。本发明具有如下优点：1)工艺简单；2)制作设备少；3)制作温度范围大；4)成品率高；5)应变量高；6)原料易得；7)制作成本低。

公开(公告)号：CN102437085A

公开(公告)日：2012-05-02

申请号：CN201110361512.7

申请日：2011-11-16

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 戴显英 ,  张鹤鸣 ,  郝跃 ,  王琳 ,  宁静 ,  李志 ,  王晓晨 ,  查冬 ,  付毅初

IPC: H01L21/762

Abstract: 本发明公开了一种机械致单轴应变SOI晶圆的制作方法，包括以下步骤：1)SOI晶圆顶层Si层面向上或向下放置在弧形弯曲台上；2)两根圆柱形不锈钢压杆分别水平放置在SOI晶圆两端，距SOI晶圆边缘1cm；3)缓慢旋动连接压杆的螺帽，使SOI晶圆沿弧形台面逐渐弯曲，直至SOI晶圆完全与弧形台面贴合；4)载有SOI晶圆的弧形弯曲台放置在退火炉中进行退火；5)退火结束后缓慢降温至室温，取出载有SOI晶圆片的弧形弯曲台；6)旋动连接压杆的螺帽，将压杆缓慢提升，直至弯曲的SOI晶圆回复原状。本发明具有如下优点：1)应变效果好；2)表面粗糙度小；3)表面缺陷少；4)热性能良好；5)电学性能高；6)成品率高；7)退火温度范围大；8)制作工艺简单；9)制作设备少且可自制；10)制作成本低；11)原料易得。

公开(公告)号：CN102437019A

公开(公告)日：2012-05-02

申请号：CN201110361521.6

申请日：2011-11-16

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 戴显英 ,  李志 ,  邵晨峰 ,  王船宝 ,  郝跃 ,  张鹤鸣 ,  王晓晨

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/74

Abstract: 本发明公开了一种基于机械弯曲台的SiN埋绝缘层上单轴应变SGOI晶圆的制作方法，包括以下步骤：1)SGOI晶圆顶层SiGe层面向上或向下放置在弧形弯曲台上；2)两根圆柱形不锈钢压杆分别水平放置在SGOI晶圆两端，距SGOI晶圆边缘1cm；3)缓慢旋动连接压杆的螺帽，使SGOI晶圆沿弧形台面逐渐弯曲，直至SGOI晶圆完全与弧形台面贴合；4)载有SGOI晶圆的弧形弯曲台放置在退火炉中进行退火；5)退火结束后缓慢降温至室温，取出载有SGOI晶圆片的弧形弯曲台；6)旋动连接压杆的螺帽，将压杆缓慢提升，直至弯曲的SGOI晶圆回复原状。本发明具有如下优点：1)热性能优良；2)应变效果高；3)表面粗糙度小；4)退火温度范围大；5)制作设备少且可自制；6)制作工艺简单。

公开(公告)号：CN102437019B

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201110361521.6

申请日：2011-11-16

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 戴显英 ,  李志 ,  邵晨峰 ,  王船宝 ,  郝跃 ,  张鹤鸣 ,  王晓晨

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/74

Abstract: 本发明公开了一种基于机械弯曲台的SiN埋绝缘层上单轴应变SGOI晶圆的制作方法，包括以下步骤：1)SGOI晶圆顶层SiGe层面向上或向下放置在弧形弯曲台上；2)两根圆柱形不锈钢压杆分别水平放置在SGOI晶圆两端，距SGOI晶圆边缘1cm；3)缓慢旋动连接压杆的螺帽，使SGOI晶圆沿弧形台面逐渐弯曲，直至SGOI晶圆完全与弧形台面贴合；4)载有SGOI晶圆的弧形弯曲台放置在退火炉中进行退火；5)退火结束后缓慢降温至室温，取出载有SGOI晶圆片的弧形弯曲台；6)旋动连接压杆的螺帽，将压杆缓慢提升，直至弯曲的SGOI晶圆回复原状。本发明具有如下优点：1)热性能优良；2)应变效果高；3)表面粗糙度小；4)退火温度范围大；5)制作设备少且可自制；6)制作工艺简单。

公开(公告)号：CN102437054A

公开(公告)日：2012-05-02

申请号：CN201110361525.4

申请日：2011-11-16

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 郝跃 ,  王晓晨 ,  戴显英 ,  金国强 ,  李志 ,  王琳 ,  张鹤鸣

IPC: H01L21/324

Abstract: 本发明公开了一种晶圆级单轴应变SGOI的制作方法，包括以下步骤：1)SGOI晶圆顶层SiGe层面向上或向下放置在弧形弯曲台上；2)两根圆柱形不锈钢压杆分别水平放置在SGOI晶圆两端，距SGOI晶圆边缘1cm；3)缓慢旋动连接压杆的螺帽，使SGOI晶圆沿弧形台面逐渐弯曲，直至SGOI晶圆完全与弧形台面贴合；4)载有SGOI晶圆的弧形弯曲台放置在退火炉中进行退火；5)退火结束后缓慢降温至室温，取出载有SGOI晶圆片的弧形弯曲台；6)旋动连接压杆的螺帽，将压杆缓慢提升，直至弯曲的SGOI晶圆回复原状。本发明具有如下优点：1)工艺简单；2)制作设备少；3)制作温度范围大；4)成品率高；5)应变量高；6)原料易得；7)制作成本低。