公开(公告)号：CN105204116A

公开(公告)日：2015-12-30

申请号：CN201510659759.5

申请日：2015-10-14

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 施建章 ,  李巨波 ,  祝琳 ,  苏婷 ,  马咪 ,  李高锋

IPC: G02B6/122

CPC classification number: G02B6/1225 ,  G02B2006/1213

Abstract: 一种二维线性渐变结构光子晶体，包括由低介电常数材料为基质，高介电常数材料柱体嵌入所述基质材料中，呈正四边形分布，在空间上周期排列而成。每个单元原胞中，柱体半径以一定的步长在波的传播方向上呈线性递增或递减，垂直于波传播方向柱体半径不变，两个方向上柱体中心距均为晶格常数。本发明通过优化结构参量，在较低介质比的情况下，相对带隙宽度是标准正四边形结构的近200%；在更高介质比的情况下带隙宽度可达标准结构的2~5倍。本发明相对于传统结构，带隙率提高很大，相对于其他复式结构，设计简单，使用者可以根据需要调节材料和结构参量，选取所需的禁带范围，对二维光子晶体的设计、制备和应用具有重要价值。

公开(公告)号：CN105204116B

公开(公告)日：2018-08-24

申请号：CN201510659759.5

申请日：2015-10-14

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 施建章 ,  李巨波 ,  祝琳 ,  苏婷 ,  马咪 ,  李高锋

IPC: G02B6/122

Abstract: 一种二维线性渐变结构光子晶体，包括由低介电常数材料为基质，高介电常数材料柱体嵌入所述基质材料中，呈正四边形分布，在空间上周期排列而成。每个单元原胞中，柱体半径以一定的步长在波的传播方向上呈线性递增或递减，垂直于波传播方向柱体半径不变，两个方向上柱体中心距均为晶格常数。本发明通过优化结构参量，在较低介质比的情况下，相对带隙宽度是标准正四边形结构的近200%；在更高介质比的情况下带隙宽度可达标准结构的2~5倍。本发明相对于传统结构，带隙率提高很大，相对于其他复式结构，设计简单，使用者可以根据需要调节材料和结构参量，选取所需的禁带范围，对二维光子晶体的设计、制备和应用具有重要价值。